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公开(公告)号：CN119278504A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380043184.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/316
Abstract: 本发明的基材的处理方法具有下述工序：准备工序，准备在表面具有第1表面及第2表面的基材，所述第1表面含有Si，所述第2表面与第1表面化学组成不同且含有Si；表面改性工序，在施加使硅烷基化剂接触第1表面及第2表面的硅烷基化处理后，施加相对于第1表面而言将第2表面的拒水性选择性地降低的拒水性调整处理；以及加工工序，在表面改性工序之后，对于第2表面选择性施加加工处理。
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公开(公告)号：CN102369314B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080014703.X
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其通过电解熔融盐中的氟化氢从而生成氟气，其包括：电解槽，其存储有熔融盐，在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室，该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体，该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体；原料供给通路，其与电解槽相连接且用于向熔融盐引导氟化氢；载气供给通路，其与原料供给通路相连接且用于将载气引导到原料供给通路，该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中，作为载气，使用在电解槽的阳极处生成的氟气或者在阴极处生成的氢气。
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公开(公告)号：CN103958464A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059223.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C303/00 , C07C309/06
CPC classification number: C07C303/00 , C07C309/00
Abstract: 本发明涉及氟代链烷烃磺酸酐的制造方法，其特征在于，公开了：使用每100L实际容量的最大的动力为1.0kW以上的、具备至少双轴以上的叶片的混合型反应器，边在40℃以上且不足100℃下使氟代链烷烃磺酸和五氧化二磷混炼边反应，且排出生成的氟代烷基磺酸酐，边在100℃以上且不足140℃的温度下使排出后的该反应器内残渣混炼边排出未反应的氟代烷基磺酸、进行回收，作为原料而重复利用。该方法中，以高收率得到氟代链烷烃磺酸酐。
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公开(公告)号：CN102884348A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN102803565A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026145.9
申请日：2010-03-29
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种使对用于吸附氟化氢的吸附剂进行回收、更换的维护变得容易且能够稳定地供给氟气的氟气生成装置(100)。该氟气生成装置包括精制线(20)，该精制线包含精制装置，该精制装置利用吸附剂除去由电解槽(1)的熔融盐气化而混入到从阳极(103a)生成的氟气中的氟化氢气体，精制线(20)包括并联配置有至少两台精制装置的第1精制部(21)和并联配置有至少两台精制装置的、配置在第1精制部(21)的下游的第2精制部(22)，通过了第1精制部(21)的任一精制装置的氟气被导入到第2精制部(22)的任一精制装置。
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公开(公告)号：CN102713009A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060752.7
申请日：2010-11-30
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种氟气生成装置，其具备：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；以及精制装置，其使用冷却介质，使从电解槽的熔融盐中气化而混入到由阳极生成的主产气体中的氟化氢气体凝固并捕集，从而精制氟气；在精制装置中为了凝固氟化氢气体而被使用并被排出的冷却介质作为氟气生成装置的各处中使用的公用气体再利用。
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公开(公告)号：CN113272471B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202080008453.2
申请日：2020-01-07
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C28/00 , H01L21/285 , H01L21/312
Abstract: 本公开的实施方式的选择性膜沉积方法的特征在于，对于具有包含金属及金属氧化物中的至少1种的第一表面区域和包含非金属无机材料的第二表面区域这两者均露出的结构的基板，使通式(1)所示的有机物的膜选择性地沉积于第一表面区域而非第二表面区域。(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～30的任选具有杂原子、卤原子的烃基，R2、R3、R4及R5各自独立地为氢原子或碳数1～10的任选具有杂原子、卤原子的烃基。其中，该烃基的碳数为3以上时，也包括支链或环状结构的烃基。)
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公开(公告)号：CN112921320B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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公开(公告)号：CN106409656B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610599442.1
申请日：2016-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]提供如下技术：使用对钴膜进行氧化的氧化气体和包含β‑二酮的蚀刻气体对被处理体表面的钴膜进行蚀刻时，防止在被处理体形成碳膜。[解决手段]将被处理体加热至250℃以下的温度同时以氧化气体的流量相对于蚀刻气体的流量的比率为0.5％～50％的方式对前述被处理体供给包含β‑二酮的蚀刻气体和用于氧化前述钴膜的氧化气体。由此，可以抑制碳膜的形成且对前述钴膜进行蚀刻。
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