发明公开
CN102260855A 抗刻蚀层、半导体处理装置及制作方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 抗刻蚀层、半导体处理装置及制作方法
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申请号: CN201110210146.5申请日: 2011-07-26
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公开(公告)号: CN102260855A公开(公告)日: 2011-11-30
- 发明人: 贺小明 , 倪图强 , 万磊 , 杨平
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: C23C16/00
- IPC分类号: C23C16/00 ; C23C30/00
摘要:
本发明实施例提供一种抗刻蚀层、半导体处理装置及其制作方法,所述半导体处理装置包括处理腔室,所述处理腔室用于通入源气体,对放置于处理腔室内的基片进行相应处理,且所述处理腔室还用于容纳等离子体,所述腔室内具有多个处理部件,所述半导体处理装置还包括:抗刻蚀层,覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面,所述抗刻蚀层用于抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件。本发明利用抗刻蚀层对处理腔室和处理部件进行保护,防止所述处理腔室和处理部件受到等离子体的损伤,并提高处理腔室和处理部件的使用寿命。