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公开(公告)号：CN106935470B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201511013095.1
申请日：2015-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种等离子处理装置，包括：反应腔，一基座位于反应腔内下方用于固定基片，一射频电源连接到基座内的下电极，一气体喷淋头位于反应腔顶部，反应腔内包括至少一待测温部件，所述待测温部件包括第一表面面向基座上方的基片，还包括一第二表面位于所述第一表面反面；一个加热板与所述待测温部件的第二表面，于待测温部件相互紧固，所述加热板包括一个通孔，通过内包括一个热偶和包裹在热偶外表面的弹性绝缘材料，所述热偶包括一个第一端与所述待测温部件的第二表面形成第一接触区，同时所述弹性绝缘材料也包括第一端与所述待测温部件第二表面形成环形接触区，所述环形接触区围绕所述第一接触区。
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公开(公告)号：CN107293465B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201610200486.2
申请日：2016-03-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 本发明提供一种等离子体电弧监测方法，在利用该对静电吸盘的电信号进行电弧的监测时，通过将电信号与第一阈值进行比较，获得第一比较波形，通过将电信号与第二阈值进行比较，获得第二比较波形，由于第一阈值较小，第一比较波形的脉冲具有更长的持续时间，便于获取变化较快的电信号的相对较宽的持续时间，而第二波形是通过与较大的阈值比较后获得波形，也就是说，第二波形中的脉冲代表幅值满足要求的情况，通过这二者的判断，可以去除了电信号微小波动或短暂波动等干扰信号，有效的判断出准确的电弧发生的情况，达到可靠监测等离子体电弧发生的目的。
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公开(公告)号：CN109216144A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710533117.X
申请日：2017-07-03
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一层耐等离子腐蚀的绝缘材料层，一个由绝缘材料制成的耦合环围绕在基座外周围，一个聚焦环设置在所述耦合环上方，所述聚焦环围绕所述静电夹盘并且在等离子处理过程中暴露于等离子体，还包括一个环形电极位于所述耦合环上方和聚焦环的下方，一导线第一端电连接到所述基座，第二端连接到所述环形电极，一可变电容串联在所述导线上。
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公开(公告)号：CN108712813B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811065920.6
申请日：2018-09-13
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间。
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公开(公告)号：CN105986244B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510083995.7
申请日：2015-02-16
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积装置及其清洁方法，包括：具有内部处理空间的反应室，以及与所述处理空间连通的进气装置和排气装置。所述排气装置包括一排气板及设置在所述排气板上的排气口，所述排气板上方设置一反应腔内衬，所述反应腔内衬可带动所述排气板在一沉积位置和一清洁位置之间上下移动；一清洁元件对应所述排气口设置于所述排气板下方，所述排气板在所述沉积位置和所述清洁位置之间移动时，所述清洁元件实现对所述排气口的清洁。
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公开(公告)号：CN106876236B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510910234.4
申请日：2015-12-10
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法，将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理，所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪；等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号，所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号；启动所述入射光源向所述基片发射入射光信号；启动所述光谱仪接收经基片反射后的入射光信号及所述背景光信号，利用所述参考光信号实现对所述光谱仪的校准；利用校准后的光谱仪对读取的入射光信号的波长进行校准，得到准确的入射光信号波长；利用该准确的入射光信号波长计算基片的处理速率，实现对基片处理工艺的监测。
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公开(公告)号：CN108728821A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710266326.2
申请日：2017-04-21
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/18
摘要： 本发明提供一种MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置，用以改善气体浪费和颗粒污染。其中的气体供应装置包括气体喷淋头(14)，气体喷淋头内设置有：第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，第一气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(A1与A2)，第二气体扩散区包括相互气体隔离的两个扩散室(B1与B2)；多个气体通道，分别与第一气体扩散区的两个扩散室、第二气体扩散区的两个扩散室相连通，用于将各扩散室内的气体导入反应腔内；所述第一气体扩散区的两个扩散室中的至少一个以及第二气体扩散区的两个扩散室中的至少一个所容纳的气体种类能够在第一气体与第二气体之间切换。
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公开(公告)号：CN105810625B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410850544.7
申请日：2014-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/673
摘要： 一种晶圆托盘，包括若干相同或不同的晶圆载盘以及一盖板，该盖板具有若干镂空区域，每一镂空区域对应一晶圆载盘，盖板的每一镂空区域与固定在该镂空区域下方的晶圆载盘形成一凹槽，该凹槽的直径与晶圆的直径匹配，使得晶圆可放入该凹槽内，本方案将若干晶圆载盘可更换地直接或间接固定在该盖板上，由于该若干晶圆载盘相同或不同，这样，在加热过程中，可根据晶圆受热调整需要更换合适的晶圆载盘。此外，盖板上的镂空区域边缘设置有伸向凹槽中心的环状凸舌，该环状凸舌与凹槽形成晶圆的容置空间，使得晶圆放入凹槽内后，边缘区域被环状凸舌施压，防止晶圆翘曲。
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公开(公告)号：CN104752256B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201310728956.9
申请日：2013-12-25
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。
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公开(公告)号：CN105990081B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201510067623.5
申请日：2015-02-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 一种等离子体处理装置及其制作方法，所述等离子体处理装置包括：至少一个暴露于等离子体的部件，所述部件包括：基体；位于所述基体表面的第一保护层，所述第一保护层内包括若干孔洞；位于所述第一保护层表面的第二保护层，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度，所述第二保护层内的孔洞百分比密度为0～1％。所述等离子体处理装置的处理状态稳定、寿命延长，抗等离子体侵蚀的能力提高。
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