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公开(公告)号：CN104733336B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310705627.2
申请日：2013-12-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01J37/244 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测方法和检测系统，检测方法，包括，产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子或者产生的气体或粒子；获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；其中，所述预设阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。
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公开(公告)号：CN104183514B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201310193644.2
申请日：2013-05-22
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种改善TSV刻蚀工艺的系统及刻蚀终点监测方法，通过在等离子体反应腔外设置一气体监测装置，并将其与射频功率源和终点监测装置连接，实现对深反应等离子体刻蚀的刻蚀步骤和沉积步骤的监测；所述气体监测装置通过对基片表面的等离子体发出的光谱进行实时监测，确定基片表面反应气体为刻蚀气体或者沉积气体，并将结果发送至射频功率源和终点监测装置，指示射频功率源输出与所述气体相匹配的功率，同时指示终点监测装置选择某一步骤采集特定波长的实时光信号强度并建立具有周期性的实时光信号强度谱线，根据所述光信号强度特征谱线确定所述等离子体处理工艺的终点。
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公开(公告)号：CN106876238A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510910240.X
申请日：2015-12-10
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号；一光谱仪，用于接收等离子体处理装置内发出的光信号，其工作模式为脉冲模式；所述入射光源与所述光谱仪之间设置一同步控制系统，所述同步控制系统控制所述入射光源的时钟信号和所述光谱仪的时钟信号具有相同的上升沿。本发明在光谱仪中直接进行减法运算可以大大降低计算机系统的运算负载，同时避免计算机系统的运算周期与入射光源的工作周期无法一致（或同步）造成的计算不准确的问题。
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公开(公告)号：CN103117203B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310073717.4
申请日：2013-03-08
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 本发明提供一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及其方法。该方法包括交替循环的沉积和刻蚀工艺子过程，在每个子过程进行中，时间控制模块控制第一或第二输气阀的启闭，使该子过程的气体输送到工艺腔内，同时检测模块的检测单元检测工艺腔内气体浓度所形成的特征值，通过特征值确定气体的种类和浓度，检测模块的切换单元判断所述特征值是否达到预定的阈值，如果达到预定的阈值，则切换偏压电源输出满足该子过程的偏压功率。本发明将气体输送和偏压功率切换分别由时间控制模块和检测模块控制，通过检测模块监控，可以更精确地控制偏压功率切换时间，克服了气体输送和偏压功率切换时延迟时间不同造成的不同步，提高了整个工艺的稳定性和控制性。
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公开(公告)号：CN103794459B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210421403.4
申请日：2012-10-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C14/024 , C23C14/0694 , C23C14/083 , C23C14/32 , H01J37/32091 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供了用于等离子体处理腔室的气体喷淋头的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积形成。所述涂层的形成包括一物理过程，其将源材料浓缩于气体喷淋头表面，还包括一化学过程，其中等离子体中的活性成份与该浓缩的源材料反应。并且，等离子体中的非反应成份轰击气体喷淋头表面以使所述涂层更紧密。
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公开(公告)号：CN103117202B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310053655.0
申请日：2013-02-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理工艺的终点检测方法，该等离子体处理工艺包括多个周期性的等离子体处理步骤，所述终点检测方法包括以一定时间间隔采集等离子体处理工艺过程中特定波长的实时光信号强度以获取多个实时光信号强度取样值并建立具有周期性的实时光信号强度谱线；在所述实时光信号强度谱线的每一周期内定义一个平缓区；在每一平缓区内抽取一个光信号强度特征值；根据光信号强度特征值建立光信号强度特征谱线；以及根据光信号强度特征谱线确定等离子体处理工艺的终点。本发明还提供了一种等离子体处理工艺的终点检测装置。本发明有效提高对于等离子体周期性扰动的工艺终点检测的准确性。
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公开(公告)号：CN104733279A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310719121.7
申请日：2013-12-23
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种等离子体刻蚀系统，其特征在于，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
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公开(公告)号：CN103997843A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310052981.X
申请日：2013-02-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明提供一种改进等离子体分布的等离子体反应器，在所述封闭壳体内的所述基片支撑装置上方和所述气体注入器下方设置中心挡板和边缘挡板，可以同时对从气体外围喷口和中心喷口处注入反应腔的气体进行限制和/或引导，以根据反应工艺需要对反应气体进行均匀性分布控制。所述中心挡板和边缘挡板的结构、尺寸、位置可以有多种变形实施例，本领域技术人员可以根据实际工艺需要选择合适的挡板。
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公开(公告)号：CN103898613A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210567790.2
申请日：2012-12-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤：向反应腔室通入制程气体，制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧壁保护制程。其减少了刻蚀过程中侧壁上出现波浪形的形貌，结构简单，实施便利。
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公开(公告)号：CN103811296A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210458267.6
申请日：2012-11-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： H01L21/67011 , H01J37/32954 , H01L21/67248 , H01L21/67253
摘要： 本发明涉及一种关键尺寸控制系统以及等离子体处理装置，包括如第一温控装置和/或第二温控装置，第一温控装置与气体喷淋头接触，用于检测并调控气体喷淋头的温度，第二温控装置与接地环接触，用于检测并调控接地环的温度；以及控制单元，对应于第一温控装置和/或第二温控装置而生成如下控制信号中的至少一种：第一控制信号，用于控制第一温控装置调节气体喷淋头的温度；第二控制信号，用于控制第二温控装置调节接地环的温度。其通过对气体喷淋头和接地环的温度控制，实现了对晶圆不同区域的关键尺寸的调控，实现代价小，易于扩展应用。
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