本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法，具体步骤包括：(a)提供硅片，在硅片的背面覆盖作为掩膜的氧化硅和氮化硅，并用RIE刻蚀掉作为掩膜的氧化硅和氮化硅以形成膜结构开口；(b)去除光刻胶后腐蚀或刻蚀硅片，使得在膜结构开口处形成一定深度；(c)光刻出岛结构，并用RIE刻蚀掉岛结构上的氧化硅和氮化硅；(d)去除光刻胶后继续腐蚀或刻蚀硅片，得到所需厚度的感压薄膜；(e)用BOE腐蚀掉剩下的氧化硅和氮化硅；(f)提供键合层，并将键合层固定在硅片的正面，键合层设置与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块，所述止挡块与感压薄膜之间预留有间隙以限制感压薄膜的过度变形；还包括在感压薄膜的应力集中区制作用以连接成惠斯通电桥的若干压阻条的步骤。通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。