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公开(公告)号：CN105236343A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510564315.3
申请日：2015-09-07
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 一种介质隔离式压力传感器封装结构，包括底座、设于底座内的腔体、暴露在腔体内的压力传感器封装模块以及充满所述腔体的介质。所述底座设有顶部及与顶部相对的底部。所述介质隔离式压力传感器封装结构还包括与所述底部相配合以密封所述腔体的衬底，所述衬底包括正面、与正面相对的背面、贯穿所述正面与背面的导线，所述压力传感器封装模块固定在所述正面上后，所述衬底与所述底部扣合并焊接在一起，所述压力传感器封装模块与所述导线通过引线键合连接。相较于现有技术，本发明的介质隔离式压力传感器封装结构的制程简单，且能够自动化大批量生产，节省了成本。
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公开(公告)号：CN103257005B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210039207.0
申请日：2012-02-21
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
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公开(公告)号：CN103832964A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210469696.3
申请日：2012-11-20
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种微机电系统器件的制造方法，包括如下步骤：S1：提供第一芯片，包括具有可动敏感部的微机电系统器件层和第一电气键合点；S2：提供第二芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底、设置于衬底上并自第二表面朝第一表面方向延伸的隔离部、设置在第二表面上的第二电气键合点，衬底还具有与所述第二电气键合点电气连接的电气连接部，隔离部围设在电气连接部的外围；S3：将第一芯片和第二芯片键合，第二表面朝向微机电系统器件层，第一电气键合点与第二电气键合点键合；S4：将键合后的第二芯片的衬底于其第一表面进行减薄操作以露出隔离部；S5：在减薄后的衬底的第一表面形成与外界电路电气连接的电气连接层。
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公开(公告)号：CN103402161A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310307946.8
申请日：2013-07-22
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种微硅麦克风及其制作方法，包括具有正面和背面的衬底、贯通衬底的背腔、设置在衬底的正面且作为硅麦克风两极板的背板和振动体、以及形成在背板和振动体之间的振动空间，背板通过窄槽将其分割形成中心部和围设在中心部外围的外围部，中心部和外围部上设置有若干声孔，中心部和外围部通过绝缘连接部连接，微硅麦克风还包括分别与背板的中心部和外围部电性连接的第一信号部和第二信号部、以及与振动体电性连接的第三信号部，该微硅麦克风实现探测两种不同声压范围的信号，有效的避免信号失真，且具有体积小的优点，而相对制作工艺来说，由于，在制作的过程中，采用常规工艺加工实现，所以，其制作方法简单。
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公开(公告)号：CN103245340A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210022206.5
申请日：2012-02-01
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： G01C19/5712
CPC分类号： G01C19/5733
摘要： 本发明涉及一种单芯片三轴陀螺仪，具有体积小、成本低廉、低功耗的优点，其包括：质量块，质量块包括相互耦合的主质量块和耦合质量块，主质量块为偶数个且沿Y轴对称设置于耦合质量块两侧；电极层组，电极层组包括第一电极层组、第二电极层组和第三电极层组，第一电极层组、第二电极层组与质量块之间具有间隙，且第一电极层组沿Y轴对称设置于第二电极层组的两侧，第一电极层组位于质量块的正投影内，第二电极层组位于耦合质量块的正投影内，第三电极层组包括一组静止型细长平板和一组活动型细长平板，第三电极层组通过弹性部件与所述主质量块连接；驱动梳齿组，驱动梳齿组与主质量块连接，用以输入信号并驱动主质量块移动。
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公开(公告)号：CN102056061A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910208488.6
申请日：2009-10-29
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 一种电容式微型硅麦克风及其制造方法，其包括用于作为电容的一极且具有导电功能的背极板、用于作为所述电容的另一极且具有导电功能的振动膜及支撑所述振动膜的绝缘支撑体，所述背极板与振动膜间隔设置，所述背极板设有若干与振动膜连通的声孔，所述振动膜包括外端面、位于外端面内侧的若干圆弧槽及若干分别连通圆弧槽且向外贯穿外端面的狭槽，所述狭槽及圆弧槽将所述梁形成为悬臂状，所述绝缘支撑体的一端支撑所述梁，而另一端固定于背极板上。由此可使振动膜对残余应力不敏感且提高设计灵活性，同时在相同灵敏度情况下可减小芯片的面积。
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公开(公告)号：CN101388364B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200710045975.6
申请日：2007-09-13
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , B81C1/00 , B81B7/02
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种采用低温工艺形成电学隔离区方法及单片集成方法芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于400℃的低温工艺生成一绝缘介质层，并使处于隔离槽位置处的绝缘介质层表面平坦，然后再在需要电学连接的各电学隔离区的绝缘介质层相应位置采用湿法腐蚀或干法刻蚀法形成相应连接孔，最后在绝缘介质层上淀积一金属层，并进行必要刻蚀后形成将各连接孔进行相应金属互连的金属连接线，进而实现相应各电学隔离区的必要电学连接，由此可实现将MEMS与集成电路器件的集成。
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公开(公告)号：CN105547576A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510897460.3
申请日：2015-12-08
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： G01L19/00
CPC分类号： G01L19/00
摘要： 一种介质隔离式压力传感器封装结构，包括一基板、固定在所述基板上的壳体、形成于所述壳体与所述基板之间的腔体、固定在所述基板上的压力传感器封装模块以及充满所述腔体的介质。所述压力传感器封装模块设有一将所述压力传感器封装模块内外连通的第一压力接触开口。所述介质通过所述第一压力接触开口进入所述传感器封装模块内。所述基板为电路板，所述壳体与所述电路板通过焊接或者粘结相固定以形成所述腔体。相较于现有技术，本发明的介质隔离式压力传感器封装结构的制程简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103991836A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310053119.0
申请日：2013-02-19
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种微机电系统传感器及其制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。
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公开(公告)号：CN103974182A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310030506.2
申请日：2013-01-28
申请人： 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC分类号： H04R31/00
摘要： 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供具有正面和背面的衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上形成背极板；S4：在背极板上形成若干声孔；S5：在背极板上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成振动体，于振动体上形成若干通孔；S6：形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯通衬底；以及，S8：去除部分第一氧化层以露出背极板，去除振动体和背极板之间的部分第二氧化层，且未去除的第二氧化层形成用以支撑振动体的密封环，所形成的密封环和背极板、振动体围设形成腔体。
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