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公开(公告)号：CN105547576A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510897460.3
申请日：2015-12-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01L19/00
CPC classification number: G01L19/00
Abstract: 一种介质隔离式压力传感器封装结构，包括一基板、固定在所述基板上的壳体、形成于所述壳体与所述基板之间的腔体、固定在所述基板上的压力传感器封装模块以及充满所述腔体的介质。所述压力传感器封装模块设有一将所述压力传感器封装模块内外连通的第一压力接触开口。所述介质通过所述第一压力接触开口进入所述传感器封装模块内。所述基板为电路板，所述壳体与所述电路板通过焊接或者粘结相固定以形成所述腔体。相较于现有技术，本发明的介质隔离式压力传感器封装结构的制程简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN104101456A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310123972.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器介质隔离封装结构，包括管座、管帽、压力传感器芯片、基板及流体管，所述管座设有通孔并固定在基板上方，所述压力传感器芯片粘贴在管座上并覆盖通孔，压力传感器芯片包括与通孔相通的背腔，所述管帽罩设在管座上方从而在管帽与管座之间形成封闭腔体，所述流体管连接至管座的下方并设有与通孔相通的通道。本发明压力传感器芯片直接贴于管座上，压力背腔直接通过流体管与待测流体接触，省去了如灌油等一系列复杂工艺的其他介质隔离技术，结构更加紧凑。
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公开(公告)号：CN103991836A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310053119.0
申请日：2013-02-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统传感器及其制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。
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公开(公告)号：CN103974182A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310030506.2
申请日：2013-01-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供具有正面和背面的衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上形成背极板；S4：在背极板上形成若干声孔；S5：在背极板上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成振动体，于振动体上形成若干通孔；S6：形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯通衬底；以及，S8：去除部分第一氧化层以露出背极板，去除振动体和背极板之间的部分第二氧化层，且未去除的第二氧化层形成用以支撑振动体的密封环，所形成的密封环和背极板、振动体围设形成腔体。
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公开(公告)号：CN103248994A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210024962.1
申请日：2012-02-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81C1/00246 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 本发明揭示了一套“后半导体工艺”的基于SOI衬底的集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及其芯片，所述制作方法包括在完成标准半导体工艺的基片上采用低温工艺制作背极板、声音敏感膜、牺牲层等结构组成微硅麦克风，以实现微硅麦克风同基片上已有电路的集成，如此可将集成电路器件同微型硅麦克风集成在一起形成具有高灵敏度的单片集成芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103051302A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110308012.7
申请日：2011-10-12
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: H03H9/2436 , H03H3/0072 , Y10T29/49016
Abstract: 本发明涉及一种横向体声波谐振器、制备该横向体声波谐振器的方法以及应用该横向体声波谐振器的振荡器，属于微机电系统（MEMS）领域。本发明中所述的横向体声波谐振器通过固定端约束谐振体上下左右位移，通过将谐振体垂直设置，使谐振体与驱动电极组成的机-电耦合系统后，当该机-电耦合系统受到外力驱动时，谐振体仅在水平方向上收缩变形，从而使其振动模式单一稳定，故而通过应用此种结构的振荡器在工作时可以获得稳定的频率。而本发明中的谐振器的制备工艺则采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、键合工艺、湿法腐蚀等工艺形成悬浮谐振体，固定端，以及纳米级间距驱动电极，能够有效控制悬浮谐振体的高度，厚度，以及驱动电极间隙。
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公开(公告)号：CN102193002A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010148677.1
申请日：2010-03-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于检测地震、地音的加速度传感器及其制造方法，所述加速度传感器包括组成阵列式的若干个子结构，每一个子结构包括质量块、与质量块在横向上相互连接的锚点及可相互之间在横向上产生相对位移的梳齿；所述若干个子结构在横向上通过第一支撑结构相互连接，并且所述若干个子结构在垂直横向的纵向上通过第二支撑结构相互连接。所述加速度传感器可以通过连接各个子结构之间的第一、第二支撑结构来进行应力释放，从而提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN102190284A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN102056062A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910208492.2
申请日：2009-10-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种电容式微型硅麦克风及其制造方法，其包括用于作为电容的一极且具有导电功能的背极板、用于作为所述电容的另一极且具有导电功能的振动膜及支撑所述振动膜的绝缘支撑体，所述背极板设有若干与振动膜连通的声孔，所述振动膜为圆形且包括外端面及位于外端面内侧的若干圆弧槽，所述圆弧槽将振动膜分割成若干圆弧形的梁，所述绝缘支撑体的一端支撑所述梁。由此可使振动膜对残余应力不敏感且提高设计灵活性，同时在相同灵敏度情况下可减小芯片的面积。
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公开(公告)号：CN101355828A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710044323.0
申请日：2007-07-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片，SOI基片上具有第一区域及第二区域，SOI基片上位于第二区域上的器件层作为电容的一极，首先在所述第一区域的器件层上生成集成电路，接着在所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层，并采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜，最后将腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容式微硅麦克风，如此可减小芯片尺寸，降低制造成本，同时可避免采用高温工艺来减小作为振动模的器件层的应力，也可避免采用工艺复杂且重复性不佳的复合振动模方式来减小应力。
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