发明公开
CN102263054A 多层晶片中的沟槽结构
无效 - 撤回
- 专利标题： 多层晶片中的沟槽结构
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申请号： CN201110117188.4申请日： 2011-05-06
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公开(公告)号： CN102263054A公开(公告)日： 2011-11-30
- 发明人: 康斯坦丁·布德尔 , 卡洛斯·马祖拉
- 申请人： 硅绝缘体技术有限公司
- 申请人地址： 法国伯涅尼
- 专利权人： 硅绝缘体技术有限公司
- 当前专利权人： 硅绝缘体技术有限公司
- 当前专利权人地址： 法国伯涅尼
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 丁香兰; 庞东成
- 优先权： 10290274 2010.05.25 EP
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/8238
摘要：
本发明涉及一种多层晶片中的沟槽结构，以及在多层晶片中制造该沟槽结构的方法，所述多层晶片包含衬底、位于衬底上的氧化物层和位于氧化物层上的半导体层，所述方法包括以下步骤：穿过半导体层和氧化物层形成沟槽并延伸至衬底中，并对所形成的沟槽进行退火处理，以使在所述沟槽的内表面处，所述半导体层的部分材料在所述氧化物层在沟槽内表面处露出的部分的至少一部分上流动。
IPC分类:
