-
公开(公告)号：CN105428285A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610052078.7
申请日：2011-06-21
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L25/50 , B32B38/1858 , B32B2309/64 , B32B2309/65 , B32B2309/68 , H01L21/67092 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。
-
公开(公告)号：CN102437073B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110414307.2
申请日：2011-06-21
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L25/50 , B32B38/1858 , B32B2309/64 , B32B2309/65 , B32B2309/68 , H01L21/67092 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体器件的装置，该装置包括：键合模块(1)，其包括真空室，以在低于大气压力的压力下提供晶片键合；和装载锁定模块(2)，其连接至键合模块(1)并配置为向键合模块(1)传送晶片，并且连接至被配置为将装载锁定模块(2)中的压力降到大气压力以下的第一真空泵装置(5)。
-
公开(公告)号：CN102339768B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110197168.2
申请日：2011-07-14
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构。形成键合半导体结构的方法包括以下步骤：将半导体结构临时地直接键合在一起；使这些半导体结构中的至少一个变薄；以及随后将变薄的半导体结构永久地键合到另一个半导体结构。在不使用粘合剂的情况下，可以建立临时的直接键合。根据这样的方法制造键合半导体结构。
-
公开(公告)号：CN102439695B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080006938.4
申请日：2010-01-11
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
CPC分类号： H01L21/02664 , C30B29/403 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/762 , H01L21/76254
摘要： 本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。
-
公开(公告)号：CN102237371B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110099463.4
申请日：2011-04-20
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/823481 , H01L21/84 , H01L27/0705 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/7881
摘要： 本发明涉及一种包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体SeOI结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层；所述半导体器件还包含场效应晶体管FET，其中所述FET包含所述基片中的通道区；作为所述SeOI结构体的所述氧化物层的至少一部分的电介质；和至少部分地作为所述SeOI结构体的半导体层的第一部分的栅。
-
公开(公告)号：CN102113090B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN200980130447.8
申请日：2009-07-02
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/18 , H01L21/58 , H01L21/762
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L2221/68359 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法，该方法包括相继执行的以下步骤：在中间基板上从应变材料层形成岛；通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛；以及，将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。
-
公开(公告)号：CN103123895A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310012880.X
申请日：2009-08-06
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 法布里斯·勒泰特 , 卡洛斯·马祖拉 , 迈克尔·R·卡梅斯 , 梅尔文·B·麦克劳林 , 内森·F·加的纳
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02422 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/3245 , H01L33/0095
摘要： 应变层的松弛。本发明涉及一种用于松弛应变材料层的方法，该方法包括以下步骤：在籽晶衬底上生长所述应变材料层；在所述应变材料层的一面上沉积第一低粘度层；通过所述第一低粘度层将所述应变材料层粘合到第一衬底，并且将所述应变材料层从所述籽晶衬底分离；在所述应变材料层的另一面上沉积第二低粘度层；在热处理步骤之前将第二衬底粘合到所述第二低粘度层，以形成夹层结构；使所述夹层结构经受热处理，使得造成所述第一低粘度层和所述第二低粘度层的回流，由此至少部分地松弛所述应变材料层。
-
公开(公告)号：CN101868853B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880116791.7
申请日：2008-11-12
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 迈克尔·艾伯特·蒂施勒 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/6838
摘要： 本发明提供了允许在高温下在气相外延生长室中加载和卸载晶片的设备、协议和方法。具体而言，本发明提供了一种用于移动晶片或者衬底的装置，该装置能够将正被移动的衬底浸浴在活性气体中，任选地对该活性气体的温度进行控制。活性气体可用于限制或者防止晶片表面发生升华或分解，并且可对活性气体进行温度控制，以限制或者防止热损坏。因此，可以减小或者消除生长室之前必要的温度升降，从而提高晶片生产量和系统效率。
-
公开(公告)号：CN102339769A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110201962.X
申请日：2011-07-19
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。
-
公开(公告)号：CN102263054A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110117188.4
申请日：2011-05-06
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/76283 , H01L21/76275 , H01L29/66181
摘要： 本发明涉及一种多层晶片中的沟槽结构，以及在多层晶片中制造该沟槽结构的方法，所述多层晶片包含衬底、位于衬底上的氧化物层和位于氧化物层上的半导体层，所述方法包括以下步骤：穿过半导体层和氧化物层形成沟槽并延伸至衬底中，并对所形成的沟槽进行退火处理，以使在所述沟槽的内表面处，所述半导体层的部分材料在所述氧化物层在沟槽内表面处露出的部分的至少一部分上流动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
104 条记录 (耗时 0.042 秒)
