发明授权
- 专利标题： 忆阻设备以及制造和使用所述忆阻设备的方法
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申请号： CN200880132493.7申请日： 2008-12-23
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公开(公告)号： CN102265397B公开(公告)日： 2014-10-29
- 发明人: R.S.威廉斯 , D.B.斯特鲁科夫 , A.布拉特科夫斯基
- 申请人： 惠普开发有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 惠普开发有限公司
- 当前专利权人： 慧与发展有限责任合伙企业
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘春元; 王洪斌
- 国际申请： PCT/US2008/088258 2008.12.23
- 国际公布： WO2010/074689 EN 2010.07.01
- 进入国家日期： 2011-06-23
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247 ; H01L21/336 ; H01L21/265
摘要：
此处公开了一种忆阻设备。该设备包括：第一电极，第二电极，以及设置在所述第一和第二电极之间的有源区。在所述有源区中存在至少两个移动物种。所述至少两个移动物种中的每一个被配置成限定所述忆阻设备的单独状态变量。
公开/授权文献
- CN102265397A 忆阻设备以及制造和使用所述忆阻设备的方法 公开/授权日：2011-11-30
IPC分类:
