发明授权
CN102265417B 光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置
- 专利标题（英）： Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device
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申请号： CN200980151768.6申请日： 2009-12-24
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公开(公告)号： CN102265417B公开(公告)日： 2013-10-23
- 发明人: 小林良聪 , 小关和宏 , 菊池伸
- 申请人： 古河电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人： 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 曹立莉
- 优先权： 332732/08 2008.12.26 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/071504 2009.12.24
- 国际公布： WO2010/074184 JA 2010.07.01
- 进入国家日期： 2011-06-22
- 主分类号： H01L33/62
- IPC分类号： H01L33/62
摘要：
本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。
公开/授权文献
- CN102265417A 光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置 公开/授权日：2011-11-30
IPC分类:
