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公开(公告)号：CN102257647B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980151171.1
申请日：2009-12-17
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种光半导体装置用引线框及其制造方法。该引线框在基体上形成有由纯银构成的纯银层，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚为0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。该光半导体装置用引线框在可见光区域的反射特性优异并且耐蚀性优异。
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公开(公告)号：CN102473830B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080034641.9
申请日：2010-06-23
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2933/0066 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种光半导体装置用引线框架与其制造方法、及使用其的光半导体装置。本发明的光半导体装置用引线框架在导电性基体(1)上形成有由银或银合金构成的层(2)，且在上述由银或银合金构成的层的外层具有银以外的金属的金属氧化物层(3)，该金属氧化物层(3)为无色透明或呈银白色，且厚度为0.001μm以上且0.2μm以下。
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公开(公告)号：CN102859016B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080066025.1
申请日：2010-12-24
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22F1/00
摘要： 本发明的目的在于提供一种铜合金伸展材，该铜合金伸展材的被切削性和伸展性优异、可减轻环境负荷、并且在需要高强度和高导电性的至少一种的用途中是最合适的。本发明的铜合金伸展材含有1.5质量%～7.0质量%的Ni、0.3质量%～2.3质量%的Si、0.02质量%～1.0质量%的S，进一步根据需要含有以总量计为0.05质量%～2.0质量%的选自由Sn、Mn、Co、Zr、Ti、Fe、Cr、Al、P和Zn组成的组中的至少一种，余量由Cu和不可避免的杂质形成，其中，该铜合金伸展材中分散了有助于被切削性提高的硫化物，该硫化物的平均直径为0.1μm～10μm，该硫化物的面积率为0.1%～10%；且所述铜合金伸展材的拉伸强度为500MPa以上、导电率为25%IACS以上。
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公开(公告)号：CN102859016A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201080066025.1
申请日：2010-12-24
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22F1/00
摘要： 本发明的目的在于提供一种铜合金伸展材，该铜合金伸展材的被切削性和伸展性优异、可减轻环境负荷、并且在需要高强度和高导电性的至少一种的用途中是最合适的。本发明的铜合金伸展材含有1.5质量%～7.0质量%的Ni、0.3质量%～2.3质量%的Si、0.02质量%～1.0质量%的S，进一步根据需要含有以总量计为0.05质量%～2.0质量%的选自由Sn、Mn、Co、Zr、Ti、Fe、Cr、Al、P和Zn组成的组中的至少一种，余量由Cu和不可避免的杂质形成，其中，该铜合金伸展材中分散了有助于被切削性提高的硫化物，该硫化物的平均直径为0.1μm～10μm，该硫化物的面积率为0.1%～10%；且所述铜合金伸展材的拉伸强度为500MPa以上、导电率为25%IACS以上。
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公开(公告)号：CN102265417B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980151768.6
申请日：2009-12-24
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。
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公开(公告)号：CN102265417A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980151768.6
申请日：2009-12-24
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。
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公开(公告)号：CN102257647A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151171.1
申请日：2009-12-17
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种光半导体装置用引线框及其制造方法。该引线框在基体上形成有由纯银构成的纯银层，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚为0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。该光半导体装置用引线框在可见光区域的反射特性优异并且耐蚀性优异。
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公开(公告)号：CN102473830A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034641.9
申请日：2010-06-23
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2933/0066 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种光半导体装置用引线框架与其制造方法、及使用其的光半导体装置。本发明的光半导体装置用引线框架在导电性基体(1)上形成有由银或银合金构成的层(2)，且在上述由银或银合金构成的层的外层具有银以外的金属的金属氧化物层(3)，该金属氧化物层(3)为无色透明或呈银白色，且厚度为0.001μm以上且0.2μm以下。
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