-
公开(公告)号：CN111771015B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201980014480.8
申请日：2019-02-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 使用各裁断铜箔测定的拉伸强度满足下述要件(I)~(III)，所述各裁断铜箔是将电解铜箔从其宽度方向的一端至另一端以100mm间隔裁断而得到的。要件(I)：常态下的所述各裁断铜箔的拉伸强度的平均值为400MPa以上且650MPa以下。要件(II)：常态下的所述各裁断铜箔的拉伸强度的方差σ2为18[MPa]2以下。要件(III)：在150℃下热处理1小时后的状态下的所述各裁断铜箔的拉伸强度的平均值为350MPa以上。
-
公开(公告)号：CN102257647B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980151171.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框及其制造方法。该引线框在基体上形成有由纯银构成的纯银层，该纯银层的算术平均高度Ra为0.001～0.2μm，且在其表面形成有由耐蚀性优异的金属材料构成的平均膜厚为0.001μm以上、0.2μm以下的皮膜。该光半导体装置用引线框在可见光区域的反射特性优异并且耐蚀性优异。
-
公开(公告)号：CN102804429A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080031370.1
申请日：2010-06-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框架及其制造方法、以及使用该光半导体装置用引线框架的光半导体装置。本发明的光半导体装置用引线框架在导电性基体1上的最表面形成有由银或银合金构成的反射层2，其中，上述反射层的厚度为0.2～5.0μm，且以X射线衍射法测定上述反射层的银或银合金时，(200)面的强度比为总计数值的20％以上。
-
公开(公告)号：CN111771015A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201980014480.8
申请日：2019-02-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 使用各裁断铜箔测定的拉伸强度满足下述要件(I)~(III)，所述各裁断铜箔是将电解铜箔从其宽度方向的一端至另一端以100mm间隔裁断而得到的。要件(I)：常态下的所述各裁断铜箔的拉伸强度的平均值为400MPa以上且650MPa以下。要件(II)：常态下的所述各裁断铜箔的拉伸强度的方差σ2为18[MPa]2以下。要件(III)：在150℃下热处理1小时后的状态下的所述各裁断铜箔的拉伸强度的平均值为350MPa以上。
-
公开(公告)号：CN102473830B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080034641.9
申请日：2010-06-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2933/0066 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框架与其制造方法、及使用其的光半导体装置。本发明的光半导体装置用引线框架在导电性基体(1)上形成有由银或银合金构成的层(2)，且在上述由银或银合金构成的层的外层具有银以外的金属的金属氧化物层(3)，该金属氧化物层(3)为无色透明或呈银白色，且厚度为0.001μm以上且0.2μm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102844897A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180019412.4
申请日：2011-06-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/60 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/64 , C25D5/022 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/36 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D7/08 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种光半导体装置用引线框架，在基体的最表面的至少单面或双面的一部分或整个面上具备反射层，上述反射层至少在反射光半导体元件发出的光的区域的最表面具有由金属或其合金构成的镀组织的至少表面发生了机械变形的组织。
-
公开(公告)号：CN102473830A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034641.9
申请日：2010-06-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2933/0066 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框架与其制造方法、及使用其的光半导体装置。本发明的光半导体装置用引线框架在导电性基体(1)上形成有由银或银合金构成的层(2)，且在上述由银或银合金构成的层的外层具有银以外的金属的金属氧化物层(3)，该金属氧化物层(3)为无色透明或呈银白色，且厚度为0.001μm以上且0.2μm以下。
-
公开(公告)号：CN102844897B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180019412.4
申请日：2011-06-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/60 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/64 , C25D5/022 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/36 , C25D5/44 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D7/08 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种光半导体装置用引线框架，在基体的最表面的至少单面或双面的一部分或整个面上具备反射层，上述反射层至少在反射光半导体元件发出的光的区域的最表面具有由金属或其合金构成的镀组织的至少表面发生了机械变形的组织。
-
公开(公告)号：CN102265417B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980151768.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。
-
公开(公告)号：CN102265417A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980151768.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , Y10T428/26 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
