- 专利标题: MOCVD设备的喷淋头及其制作方法、使用方法
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申请号: CN201110224912.3申请日: 2011-08-05
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公开(公告)号: CN102268656A公开(公告)日: 2011-12-07
- 发明人: 贺小明 , 倪图强
- 申请人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司,南昌中微半导体设备有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455
摘要:
本发明实施例提供一种MOCVD设备的喷淋头及其制作方法和使用方法,其中所述制作方法包括:制作喷淋头主体;在所述喷淋头主体表面形成可再生保护层,所述可再生保护层用于保护所述喷淋头主体免于MOCVD过程中化学反应气体和/或等离子体的刻蚀。形成的喷淋头包括:喷淋头主体;可再生保护层,位于所述喷淋头主体的外表,所述可再生保护层用于保护所述喷淋头主体。所述使用方法包括:在所述喷淋头使用一段时间后,对所述可再生材料层进行循环再生,在所述可再生材料层表面形成循环保护层。本发明实施例可以有效保护喷淋头,延长喷淋头的使用寿命,并且提高形成的外延层的质量和MOCVD设备的利用率。
公开/授权文献
- CN102268656B MOCVD设备的喷淋头及其制作方法、使用方法 公开/授权日:2013-05-01
IPC分类: