发明授权
- 专利标题: 带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法
- 专利标题(英): Image sensor with insulating buried layer and manufacturing method thereof
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申请号: CN201110229921.1申请日: 2011-08-11
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公开(公告)号: CN102332462B公开(公告)日: 2012-10-24
- 发明人: 苗田乐 , 陈杰 , 汪辉 , 汪宁 , 尚岩峰 , 田犁
- 申请人: 上海中科高等研究院
- 申请人地址: 上海市浦东新区海科路99号
- 专利权人: 上海中科高等研究院
- 当前专利权人: 中国科学院上海高等研究院
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区海科路99号
- 代理机构: 上海翼胜专利商标事务所
- 代理商 孙佳胤; 翟羽
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器,所述图像传感器形成于支撑衬底表面,所述支撑衬底的材料是半导体材料,所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域,驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层,顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离;驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中,光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离;所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。
公开/授权文献
- CN102332462A 带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 公开/授权日:2012-01-25
IPC分类: