公开(公告)号：CN103281038A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310202579.5

申请日：2013-05-27

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 章琦 ,  汪宁 ,  袁盾山 ,  汪辉 ,  陈杰

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03G3/20

摘要： 本发明涉及半导体器件，公开了一种宽带低噪声放大器。本发明中，该宽带低噪声放大器利用交叉耦合晶体管网络作为宽带阻抗匹配网络，可在很宽的频带内实现近似纯电阻的特性，并且电路结构简单，使其在不牺牲噪声的前提下，实现良好的宽带阻抗匹配性能，即实现噪声性能和带宽性能的同时优化；与传统的低噪声放大器相比，其避免了射频电感的使用，使得芯片面积大大降低，可以减小80%以上。

公开(公告)号：CN102332463B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201110229922.6

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 施琛 ,  陈杰 ,  汪辉 ,  尚岩峰 ,  汪宁 ,  田犁

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离，所述绝缘隔离层从侧面和底部环绕光学传感器件；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。

公开(公告)号：CN102842899A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210266695.9

申请日：2012-07-30

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 汪宁 ,  李国宏 ,  汪辉 ,  陈杰 ,  章琦 ,  袁盾山

IPC分类号： H02H9/02

摘要： 本发明是有关于一种启动器的过流保护装置，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。

公开(公告)号：CN102566648A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110444975.X

申请日：2011-12-28

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 汪宁 ,  章琦 ,  汪辉

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 一种软启动控制器，包括：一输入端，所述输入端电学连接至芯片的基准电压源；一非门，所述非门的输入端电学连接至所述软启动控制器的输入端；一场效应晶体管，所述场效应晶体管的栅极电学连接至所述非门的输出端，漏极/源极电学连接至软启动控制器的工作电压源，源极/漏极电学连接至所述软启动控制器的输出端；一限流单元，所述限流单元连接一电流镜像单元，电流镜像单元通过所述限流单元控制非门及场效应晶体管的电流。

公开(公告)号：CN102299164A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110270170.8

申请日：2011-09-13

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 田犁 ,  郭洪量 ,  汪辉 ,  陈杰 ,  汪宁 ,  尚岩峰

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，其自上而下依次包括顶层半导体层、绝缘层和支撑衬底；将感光二极管和信号读出电路均制作在顶层半导体层上；通过金属互连将两者连接；其中，感光二极管的制作包括步骤：选定制作区域；分别形成第一、第二掺杂区域，第二掺杂区域环绕第一掺杂区域，且两者之间间隔有全耗尽区域；对全耗尽区域进行掺杂；对半导体衬底作高温退火。相应地，本发明还提供一种图像传感器。本发明采用横向的感光二极管，在半导体衬底的顶层半导体层上制作三层环绕式的第一导电类型掺杂区域/全耗尽区域/第二导电类型掺杂区域的结构，克服了常规半导体工艺下光生电流过小、传感器灵敏度过低的问题。

公开(公告)号：CN103281071A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310251991.6

申请日：2013-06-21

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 章琦 ,  汪宁 ,  袁盾山 ,  汪辉 ,  陈杰

IPC分类号： H03K19/0944 ,  H03K21/00

摘要： 本发明涉及半导体器件，公开了一种锁存器及包括该锁存器的分频器电路。本发明中，该锁存器在同一条电流通路上实现了两对差分信号的处理，实现了电流的复用，节省了芯片面积，降低了功耗。在分频器电路中使用上述锁存器，相对于传统分频器电路，将使用一半的锁存器实现相同的功能，节省面积，降低功耗，同时由于电路结构简单，可以大幅提高输出信号的相位正交性和幅度匹配性，提高电路的性能，并且在反馈通路上，多加几级锁存器，就可以非常容易地扩展成不同分配模式的分频器，可扩展性好。

公开(公告)号：CN103268753A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310204677.2

申请日：2013-05-28

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 汪辉 ,  聂广震 ,  汪宁 ,  章琦 ,  封松林

IPC分类号： G09G3/32

摘要： 本发明提供一种扫描线共用的AMOLED驱动电路及其驱动方法，所述驱动电路至少包括：二维像素矩阵，由M×N个像素单元构成；扫描驱动器，输出至少一条扫描线，所述二维像素矩阵中每两行像素单元共用一条扫描线；数据驱动器，输出至少一条数据线，每条数据线与对应的一列像素单元连接；选择驱动器，输出第一选择线和第二选择线，所述第一选择线与所述二维像素矩阵中奇数行像素单元连接，所述第二选择线与所述二维像素矩阵中偶数行像素单元连接；控制单元，与所述扫描驱动器、数据驱动器及选择驱动器分别相连。本发明的驱动电路中每两行像素单元共用一条扫描线，使得扫描线的规模变为原来的一半，且驱动IC的数量也明显减少。

公开(公告)号：CN102332461B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110229920.7

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 尚岩峰 ,  张俊超 ,  汪辉 ,  陈杰 ,  汪宁 ,  苗田乐

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域中形成绝缘埋层，绝缘埋层的深度不大于隔离沟槽的深度，并同时在绝缘埋层表面隔离形成顶层半导体层；采用离子注入的方式在支撑衬底中形成从侧面和底部环绕光学传感区域的隔离层，所述隔离层的材料是P型半导体材料；在由隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件；在驱动电路区域的顶层半导体层中形成晶体管。

公开(公告)号：CN102332463A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110229922.6

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 施琛 ,  陈杰 ,  汪辉 ,  尚岩峰 ,  汪宁 ,  田犁

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离，所述绝缘隔离层从侧面和底部环绕光学传感器件；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。

公开(公告)号：CN102332460A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110229907.1

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 陈志卿 ,  汪辉 ,  陈杰 ,  汪宁 ,  尚岩峰 ,  田犁

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底表面具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。