公开(公告)号：CN102332462B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110229921.1

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 苗田乐 ,  陈杰 ,  汪辉 ,  汪宁 ,  尚岩峰 ,  田犁

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述支撑衬底的材料是半导体材料，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。

公开(公告)号：CN102664185A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210179602.9

申请日：2012-06-01

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 田犁 ,  汪辉 ,  陈杰 ,  方娜 ,  苗田乐

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，通过形成于感光器件表面的、或形成于介质层中的、或形成于金属布线层中的纳米金属颗粒层，利用纳米金属颗粒层的表面等离子体激元，增强位于其下的感光器件对光的吸收效率；通过控制表面金属颗粒层的纳米金属颗粒的大小，增强对于特定波长光的吸收。本发明不仅增强了CMOS图像传感器原本可吸收波段光的吸收效率，而且有效地提高了该图像传感器对波长在500~1000nm之间的较长波长光的吸收效率。

公开(公告)号：CN102522414A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110434532.2

申请日：2011-12-22

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 苗田乐 ,  张俊超 ,  陈杰 ,  汪辉 ,  方娜 ,  田犁

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了一种混合型CMOS图像传感器及其制作方法，包括：图像传感器，形成于支撑衬底表面；所述支撑衬底的材料是半导体材料；所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域；其特征在于：驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，所述顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于所述顶层半导体层中；光学传感区域中的支撑衬底中具有顶层光吸收层，所述顶层光吸收层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；光学传感区域中的光学传感器形成于所述顶层光吸收层中。本发明可以大大提高光的吸收效率，并防止由于宇宙射线照射产生的大量的电子空穴对CMOS图像传感器的感光区域以及驱动电路造成的器件失效或者质量下降等影响。

公开(公告)号：CN102332462A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110229921.1

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 苗田乐 ,  陈杰 ,  汪辉 ,  汪宁 ,  尚岩峰 ,  田犁

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述支撑衬底的材料是半导体材料，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。

公开(公告)号：CN102332461B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110229920.7

申请日：2011-08-11

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 尚岩峰 ,  张俊超 ,  汪辉 ,  陈杰 ,  汪宁 ,  苗田乐

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域中形成绝缘埋层，绝缘埋层的深度不大于隔离沟槽的深度，并同时在绝缘埋层表面隔离形成顶层半导体层；采用离子注入的方式在支撑衬底中形成从侧面和底部环绕光学传感区域的隔离层，所述隔离层的材料是P型半导体材料；在由隔离层围拢的支撑衬底内形成光学传感器件；在驱动电路区域的顶层半导体层中形成晶体管。

公开(公告)号：CN102723349A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210214532.6

申请日：2012-06-26

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 苗田乐 ,  方娜 ,  田犁 ,  汪辉 ,  陈杰

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供一种带有隔离层的CMOS图像传感器及其制作方法，一方面，位于自所述半导体衬底上表面的预设深度以下的半导体衬底中增加隔离层，且隔离层与其对应的所述像素单元相隔离，隔离层的掺杂浓度高于半导体衬底的掺杂浓度，既能有效复合高能粒子及辐射产生的多余载流子，使图像传感器的抗高能粒子及抗辐射的能力有所提高，同时，又能有效复合像素单元中预滤除光的光生载流子，进一步保证像素单元的感光器件对光进行选择性的吸收；另一方面，通过控制感光器件的耗尽层深度，使感光器件对光进行选择性的吸收，从而有效的减少滤光片所带来的串扰效应。

公开(公告)号：CN102637714A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210127031.4

申请日：2012-04-27

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 田犁 ,  陈杰 ,  汪辉 ,  苗田乐 ,  方娜

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02F1/133

摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器，在感光元件上增加了第一偏振片，具有透明电极结构的液晶层以及第二偏振片，通过控制所述透明电极的电压可以改变之间的液晶排列方式，从而控制光的通断。本发明在像素结构中增加了光通断结构，可以独立地控制每个像素结构的曝光积分时间，可以使所有像素结构或部分像素结构同时曝光或同时停止曝光，从而实现全局曝光功能，并且不会对图像传感器的填充率带来影响，提高了器件的集成度。而且，增加的光通断结构可以代替传统的快门装置，减小了感光器件的体积。

公开(公告)号：CN102629619A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210134129.2

申请日：2012-04-28

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 方娜 ,  田犁 ,  汪辉 ,  苗田乐 ,  陈杰

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图像传感器。本发明中，感光区域表面的介质层周围，采用具有不同折射率的介质材料ABAB...交替叠层作为侧墙反射层，构建光通路，将光限制在相应的像素感光区域，避免其入射到相邻的像素感光区域，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。侧墙反射层通过选择适当的介质材料和周期实现对不同范围入射光的反射，这样可以更好地将对应波段的入射光限制在光通路中，更大程度上防止串扰的发生，并提高入射光的传输效率和吸收效率。层间介质层自上而下介电常数递增，即折射率递增，可以更好地起到聚光作用，减少入射到侧墙反射层的光，进一步提高了入射光的吸收效率。

公开(公告)号：CN102610625A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210067131.2

申请日：2012-03-14

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 苗田乐 ,  方娜 ,  田犁 ,  汪辉 ,  陈杰

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

摘要： 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种具有实时显示功能的图像传感器及其制造方法。本发明通过浮动扩散区的光生电压直接控制显示层中液晶材料层的透光率进行显示，减少了外围读出电路，避免了由读出电路中的晶体管产生的噪声，以及读出电路引入的显示延迟；同时，由于每一个传感像素所需要的面积是光电二极管的面积与相关电路的面积之和，因此相关电路的减少使得每一个传感像素所需要的面积也减小了，换句话说，可以在相同面积上做更多的像素，从而提高了集成度。

公开(公告)号：CN103022069A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201310009436.2

申请日：2013-01-10

申请人： 上海中科高等研究院

发明人： 苗田乐 ,  方娜 ,  田犁 ,  陈杰 ,  汪辉

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/148

摘要： 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种图像传感器，提高了图像传感器的动态范围。该图像传感器包括：第一感光结构、第二感光结构、开关晶体管、比较器、像素读出电路，其中：所述开关晶体管连接于所述第一感光结构和第二感光结构之间，用于控制所述第一感光结构和第二感光结构的连接状态；所述比较器的两输入端分别连接参考电位和第二感光结构，输出端连接所述开关晶体管栅极；所述像素读出电路与第二感光结构连接，读出感光信号。