本发明涉及一种调节应变材料籽晶层(3)的晶格参数的方法，该方法包括以下步骤：a)提供结构(10)，该结构(10)具有：应变材料籽晶层(3)，该籽晶层(3)具有晶格参数A1、标称晶格参数An以及热膨胀系数CTE3；低粘性层(2)；以及中间基板(1)，该中间基板具有热膨胀系数CTE1；b)施加热处理，以使应变材料籽晶层(3)松弛；以及c)将籽晶层(3)转移到支承基板(5)上，该支承基板具有热膨胀系数CTE5，中间基板(1)和支承基板(5)被选择为使得：A1＜An并且CTE1≤CTE3并且CTE5＞CTE1或者A1＞An并且CTE1≥CTE3并且CTE5＜CTE1。