- 专利标题： 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
- 专利标题（英）： Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling
-
申请号： CN201080015497.4申请日： 2010-03-31
-
公开(公告)号： CN102365395B公开(公告)日： 2015-04-29
- 发明人: C·勒格尔-格普费特 , R·B·雷特尔 , C·埃姆内特 , A·哈格 , D·迈耶
- 申请人： 巴斯夫欧洲公司
- 申请人地址： 德国路德维希港
- 专利权人： 巴斯夫欧洲公司
- 当前专利权人： 巴斯夫欧洲公司
- 当前专利权人地址： 德国路德维希港
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 刘金辉; 林柏楠
- 优先权： 09157540.7 2009.04.07 EP; 61/256,328 2009.10.30 US
- 国际申请： PCT/EP2010/054281 2010.03.31
- 国际公布： WO2010/115796 EN 2010.10.14
- 进入国家日期： 2011-09-28
- 主分类号： C25D3/38
- IPC分类号： C25D3/38 ; C23C18/31 ; C23C18/32 ; H01L21/288 ; H05K3/18 ; H05K3/24 ; C25D3/58
摘要：
包含金属离子源和至少一种抑制剂的组合物，所述抑制剂可通过使a)含有至少3个活性氨官能团的胺化合物与b)氧化乙烯与至少一种选自C3和C4氧化烯的化合物的混合物反应而获得。
公开/授权文献
- CN102365395A 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物 公开/授权日：2012-02-29
