发明授权
- 专利标题： 光电子半导体芯片
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申请号： CN201080014639.5申请日： 2010-03-10
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公开(公告)号： CN102369606B公开(公告)日： 2014-10-01
- 发明人: 阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科 , 迪泽尔·科尤恩 , 克里斯托夫·艾克勒 , 马蒂亚斯·扎巴蒂尔 , 斯蒂芬·鲁特格恩 , 尤伟·斯特劳斯
- 申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 申请人地址： 德国雷根斯堡
- 专利权人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 当前专利权人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址： 德国雷根斯堡
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 许伟群; 郭放
- 优先权： 102009015569.4 2009.03.30 DE
- 国际申请： PCT/EP2010/053047 2010.03.10
- 国际公布： WO2010/112310 DE 2010.10.07
- 进入国家日期： 2011-09-29
- 主分类号： H01L33/32
- IPC分类号： H01L33/32 ; H01L33/06
摘要：
在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
公开/授权文献
- CN102369606A 光电子半导体芯片 公开/授权日：2012-03-07
IPC分类:
