-
公开(公告)号：CN102460863A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080013611.X
申请日：2010-03-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。
-
公开(公告)号：CN102460863B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201080013611.X
申请日：2010-03-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。
-
公开(公告)号：CN102369606B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080014639.5
申请日：2010-03-10
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
-
公开(公告)号：CN102369606A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014639.5
申请日：2010-03-10
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
-
公开(公告)号：CN104319331B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410437730.8
申请日：2010-03-10
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
-
公开(公告)号：CN104319331A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410437730.8
申请日：2010-03-10
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.03 秒)
