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公开(公告)号：CN102460863B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201080013611.X
申请日：2010-03-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。
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公开(公告)号：CN102460863A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080013611.X
申请日：2010-03-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。
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公开(公告)号：CN101427349A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014609.2
申请日：2007-04-20
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 福尔克尔·黑勒 , 乌韦·施特劳斯 , 格奥尔格·布吕德尔 , 克里斯托夫·艾克勒 , 亚德里恩·阿夫拉梅斯库
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L31/184 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y02E10/544
摘要： 本发明公开了一种复合衬底(1)，其具有衬底本体(2)和固定在衬底本体(2)上的有用层(31)，其中在有用层(31)和衬底本体(2)之间设置有平面化层(4)。此外，公开了一种用于制造复合衬底(1)的方法，其中将平面化层(4)施加在所提供的有用衬底(3)上。有用衬底(3)固定在复合衬底(1)的衬底本体(2)上。随后，将有用衬底(3)分离，其中复合衬底(1)的有用衬底(3)的有用层(31)残留在衬底本体(2)上。
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公开(公告)号：CN101253660A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031538.2
申请日：2006-08-07
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
摘要： 一种根据本发明的用于横向分离半导体晶片(1)的方法，包括以下方法步骤：提供生长衬底(2)；将半导体层序列(3)外延生长到生长衬底(2)上，该半导体层序列包括功能半导体层(5)；将掩模层(10)施加到半导体层序列(3)的部分区域上，以产生被屏蔽的区域(11)和未被屏蔽的区域(12)；通过未被屏蔽的区域(12)注入离子，在半导体晶片(1)中产生注入区(13)；以及沿着注入区(13)分离半导体晶片(1)，其中生长衬底(2)或者生长衬底(2)的至少一部分被从半导体晶片分离。
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公开(公告)号：CN101253636A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680031536.3
申请日：2006-08-04
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 在一种用于横向分离半导体晶片(1)的方法中，提供生长衬底(2)，将半导体层序列(3)生长到生长衬底上，其中半导体层序列包括设计为分离层(4)的层和至少一个在生长方向上跟随在分离层(4)之后的功能半导体层(5)。随后，离子穿过功能半导体层(5)被注入进分离层(4)中，并沿着分离层(4)分离半导体晶片(1)，其中半导体晶片(1)的包含生长衬底(2)的部分被分离。
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公开(公告)号：CN104319331B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410437730.8
申请日：2010-03-10
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
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公开(公告)号：CN104319331A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410437730.8
申请日：2010-03-10
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
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公开(公告)号：CN101601142B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200880003014.1
申请日：2008-01-23
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 克里斯托夫·艾克勒 , 乌韦·施特劳斯 , 亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/28575 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0083
摘要： 本发明提出了一种半导体芯片(1)，其包括带有半导体层序列(10)的半导体本体，该半导体层序列具有有源区(12)和p型半导体层(11)。有源区(12)优选基于化合物半导体并且此外优选设计用于产生辐射。在p型半导体层(11)的背离有源区(12)的侧上设置有非金属连接区(2)，该非金属连接区导电地与p型半导体层(11)相连。非金属连接区(2)对于氢可穿透地构建。此外提出了一种用于制造半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN101253636B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200680031536.3
申请日：2006-08-04
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/302
摘要： 在一种用于横向分离半导体晶片(1)的方法中，提供生长衬底(2)，将半导体层序列(3)生长到生长衬底上，其中半导体层序列包括设计为分离层(4)的层和至少一个在生长方向上跟随在分离层(4)之后的功能半导体层(5)。随后，离子穿过功能半导体层(5)被注入进分离层(4)中，并沿着分离层(4)分离半导体晶片(1)，其中半导体晶片(1)的包含生长衬底(2)的部分被分离。
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公开(公告)号：CN101601141A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880002993.9
申请日：2008-01-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种带有层序列(10)的发光二极管芯片，该层序列具有至少一个n型层。发光二极管芯片具有与n型层(31)导电连接的反射层(5)。在n型层和反射层之间设置有至少一个透明的介电层(4)。
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