本发明公开了具有二极管于存储串行中的三维阵列存储器架构。此处所描述的一种三维存储装置，包含多个长条半导体材料所形成的山脊状叠层且由绝缘层分隔，安排成串行而通过译码电路与感测放大器耦接。二极管在此串行的串行选择端或是共同源极选择端与位线结构耦接。长条半导体材料具有侧表面于山脊状叠层的侧面。多条导线安排成字线且与列译码器耦接，正交延伸于该多个山脊状叠层之上。存储元件位于多层阵列的交会区域，其介于叠层中的该长条半导体材料侧表面与该多条导线之间。