- 专利标题: 用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备
- 专利标题(英): Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective
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申请号: CN201080016694.8申请日: 2010-03-19
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公开(公告)号: CN102395907B公开(公告)日: 2014-01-22
- 发明人: H-J.保罗 , G.布朗 , S.米古拉 , A.多多克 , C.扎克泽克
- 申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 申请人地址: 德国上科亨
- 专利权人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- 当前专利权人地址: 德国上科亨
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邱军
- 优先权: 102009017095.2 2009.04.15 DE; 61/219,583 2009.06.23 US
- 国际申请: PCT/EP2010/053633 2010.03.19
- 国际公布: WO2010/118928 EN 2010.10.21
- 进入国家日期: 2011-10-14
- 主分类号: G02B5/08
- IPC分类号: G02B5/08 ; G21K1/06
摘要:
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜,所述反射镜包括施加在基底上的层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”),每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成,其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层,用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”),并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3),所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2),并且/或者,最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜,并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
公开/授权文献
- CN102395907A 用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备 公开/授权日:2012-03-28