Invention Grant
- Patent Title: 用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备
- Patent Title (English): Mirror for the EUV wavelength range, projection objective for microlithography comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective
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Application No.: CN201080016694.8Application Date: 2010-03-19
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Publication No.: CN102395907BPublication Date: 2014-01-22
- Inventor: H-J.保罗 , G.布朗 , S.米古拉 , A.多多克 , C.扎克泽克
- Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Applicant Address: 德国上科亨
- Assignee: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Current Assignee: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
- Current Assignee Address: 德国上科亨
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 邱军
- Priority: 102009017095.2 2009.04.15 DE; 61/219,583 2009.06.23 US
- International Application: PCT/EP2010/053633 2010.03.19
- International Announcement: WO2010/118928 EN 2010.10.21
- Date entered country: 2011-10-14
- Main IPC: G02B5/08
- IPC: G02B5/08 ; G21K1/06

Abstract:
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜,所述反射镜包括施加在基底上的层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”),每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成,其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层,用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”),并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3),所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2),并且/或者,最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜,并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
Public/Granted literature
- CN102395907A 用于EUV波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备 Public/Granted day:2012-03-28
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