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公开(公告)号：CN102395907A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016694.8
申请日：2010-03-19
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02B5/0875 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜，所述反射镜包括施加在基底上的层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”)，每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层，用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)，并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)，并且/或者，最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102770806B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080064274.7
申请日：2010-12-17
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70316 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70216
摘要： 为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。
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公开(公告)号：CN102472976A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030955.1
申请日：2010-06-01
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
摘要： 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’)，每个层子系统由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P2)的序列，使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a；1b；1c)的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102395907B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201080016694.8
申请日：2010-03-19
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02B5/0875 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜，所述反射镜包括施加在基底上的层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”)，每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层，用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)，并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)，并且/或者，最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102713690A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080056967.1
申请日：2010-11-08
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要： 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la'；lb；lb'；lc；lc'），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P'''），该表面层系统（P'''）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H'''）和低折射率层（L'''）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102713690B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080056967.1
申请日：2010-11-08
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要： 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P”’），该表面层系统（P”’）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H”’）和低折射率层（L”’）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102472976B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080030955.1
申请日：2010-06-01
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
摘要： 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’)，每个层子系统由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P2)的序列，使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a；1b；1c)的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102770806A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080064274.7
申请日：2010-12-17
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70316 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70216
摘要： 为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。
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