- 专利标题: 使用等离子体鞘工程的加化蚀刻与沉积剖面控制
- 专利标题(英): Enhanced etch deposition profile control using plasma sheath engineering
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申请号: CN201080020274.7申请日: 2010-04-02
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公开(公告)号: CN102422389A公开(公告)日: 2012-04-18
- 发明人: 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 12/418,120 2009.04.03 US; 12/644,103 2009.12.22 US; 12/645,638 2009.12.23 US
- 国际申请: PCT/US2010/029799 2010.04.02
- 国际公布: WO2010/115114 EN 2010.10.07
- 进入国家日期: 2011-11-08
- 主分类号: H01L21/205
- IPC分类号: H01L21/205 ; H01L21/3065
摘要:
使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言,揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中,等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围,可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中,使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中,等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围,可形成多种不同形状的特征。
公开/授权文献
- CN102422389B 使用等离子体鞘工程的加化蚀刻与沉积剖面控制 公开/授权日:2014-10-22
IPC分类: