- 专利标题: 阳极壁多分割型等离子发生装置及等离子处理装置
- 专利标题(英): Multiply divided anode wall type plasma generating apparatus and plasma processing apparatus
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申请号: CN201080028939.9申请日: 2010-05-06
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公开(公告)号: CN102471869B公开(公告)日: 2014-07-16
- 发明人: 椎名祐一 , 渡边岩
- 申请人: 日本磁性技术株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 日本磁性技术株式会社
- 当前专利权人: 日本磁性技术株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 吕林红
- 优先权: 2009-157158 2009.07.01 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/057770 2010.05.06
- 国际公布: WO2011/001739 JA 2011.01.06
- 进入国家日期: 2011-12-28
- 主分类号: C23C14/24
- IPC分类号: C23C14/24 ; C23C14/06 ; H01L21/31 ; H05H1/48
摘要:
本发明的目的在于提供一种阳极壁多分割型等离子发生装置及使用该阳极壁多分割型等离子发生装置的等离子处理装置,该阳极壁多分割型等离子发生装置能够防止由扩散等离子在阳极内壁上附着、堆积而形成了的堆积物剥落而导致阴极与阳极间短路。在阴极(2)与阳极(3)之间发生了的等离子(P)从阴极(2)朝前方放出、扩散时,扩散物质(41)在电极筒体内壁上再结晶化而附着、堆积,作为碳薄片(40)剥落。由纵横的槽(37、38)将电极筒体内壁多分割成矩阵状。借助于多个突部(35)的堆积物分离作用,即使扩散等离子在阳极(3)上附着、堆积,堆积物也微细化,不产生大型乃至长形的堆积物。从小片的突部(39)剥落作为微细片的碳薄片(40),不会发生堆积物剥落而跨在阴极(2)与阳极(3)上桥接的情形,能够防止两极间的短路现象的发生。
公开/授权文献
- CN102471869A 阳极壁多分割型等离子发生装置及等离子处理装置 公开/授权日:2012-05-23
IPC分类: