发明授权
CN102473454B 具有改进的切换的PCMO非易失阻性存储器
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有改进的切换的PCMO非易失阻性存储器
- 专利标题（英）： PCMO non-volatile resitive memory with improved switching
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申请号： CN201080032370.3申请日： 2010-07-09
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公开(公告)号： CN102473454B公开(公告)日： 2015-01-14
- 发明人: A·罗乐弗斯 , M·希格特 , V·文努戈帕兰 , T·伟 , A·扬邱尔 , B·穆拉里克瑞什南 , H·欧乐
- 申请人： 希捷科技有限公司
- 申请人地址： 美国明尼苏达州
- 专利权人： 希捷科技有限公司
- 当前专利权人： 希捷科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国明尼苏达州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 钱慰民
- 优先权： 12/501,533 2009.07.13 US
- 国际申请： PCT/US2010/041545 2010.07.09
- 国际公布： WO2011/008651 EN 2011.01.20
- 进入国家日期： 2012-01-12
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00 ; H01L27/10 ; H01L27/24 ; H01L45/00
摘要：
一种阻性感测存储器单元，包括结晶的镨钙锰氧化物的层以及沉积在结晶的镨钙锰氧化物的层上的无定形镨钙锰氧化物的层，这两个层构成阻性感测存储器叠层。第一和第二电极由阻性感测存储器叠层所间隔开。该阻性感测存储器单元还包括氧扩散阻挡层，该氧扩散阻挡层将结晶的镨钙锰氧化物的层与无定形镨钙锰氧化物的层间隔开。方法包括：在结晶的镨钙锰氧化物的层上沉积无定形镨钙锰氧化物的层，由此构成阻性感测存储器叠层。
公开/授权文献
- CN102473454A 具有改进的切换的PCMO非易失阻性存储器 公开/授权日：2012-05-23
