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公开(公告)号：CN102473455B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080032408.7
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C13/02 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/34 , G11C2213/54 , G11C2213/55 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 公开了非易失性存储器单元及其使用方法。根据各实施例，该存储器单元包括：位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中隧穿区包括位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区。响应于将存储器单元编程至选定阻态的写电流，利用来自金属区和导电区两者的离子迁移在活性界面区中形成高阻性薄膜。
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公开(公告)号：CN102473706B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201080032411.9
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/102
CPC分类号： H01L27/0814 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C13/0002 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/11507 , H01L27/1203 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 一种开关元件，包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一部分和第二部分；第二半导体层，该第二半导体层具有第一部分和第二部分；置于第一半导体层和第二半导体层之间的绝缘层；第一金属接触件，该第一金属接触件与第一半导体层的第一部分接触形成第一结并且与第二半导体层的第一部分接触形成第二结；第二金属接触件，该第二金属接触件与第一半导体层的第二部分接触形成第三结并且与第二半导体层的第二部分接触形成第四结，其中第一结和第四结是肖特基接触，第二结和第三结是欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102598139B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080032406.8
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C11/16 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246
摘要： 披露一种包含非欧姆选择层的非易失性存储单元和关联的方法。根据一些实施例，非易失性存储单元由耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)构成。选择层被配置成响应大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变至第二阻态。
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公开(公告)号：CN102473454A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032370.3
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： 一种阻性感测存储器单元，包括结晶的镨钙锰氧化物的层以及沉积在结晶的镨钙锰氧化物的层上的无定形镨钙锰氧化物的层，这两个层构成阻性感测存储器叠层。第一和第二电极由阻性感测存储器叠层所间隔开。该阻性感测存储器单元还包括氧扩散阻挡层，该氧扩散阻挡层将结晶的镨钙锰氧化物的层与无定形镨钙锰氧化物的层间隔开。方法包括：在结晶的镨钙锰氧化物的层上沉积无定形镨钙锰氧化物的层，由此构成阻性感测存储器叠层。
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公开(公告)号：CN102473454B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080032370.3
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： 一种阻性感测存储器单元，包括结晶的镨钙锰氧化物的层以及沉积在结晶的镨钙锰氧化物的层上的无定形镨钙锰氧化物的层，这两个层构成阻性感测存储器叠层。第一和第二电极由阻性感测存储器叠层所间隔开。该阻性感测存储器单元还包括氧扩散阻挡层，该氧扩散阻挡层将结晶的镨钙锰氧化物的层与无定形镨钙锰氧化物的层间隔开。方法包括：在结晶的镨钙锰氧化物的层上沉积无定形镨钙锰氧化物的层，由此构成阻性感测存储器叠层。
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公开(公告)号：CN102598139A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080032406.8
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C11/16 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246
摘要： 披露一种包含非欧姆选择层的非易失性存储单元和关联的方法。根据一些实施例，非易失性存储单元由耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)构成。选择层被配置成响应大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变至第二阻态。
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公开(公告)号：CN102473706A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032411.9
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/102
CPC分类号： H01L27/0814 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C13/0002 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/11507 , H01L27/1203 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 一种开关元件，包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一部分和第二部分；第二半导体层，该第二半导体层具有第一部分和第二部分；置于第一半导体层和第二半导体层之间的绝缘层；第一金属接触件，该第一金属接触件与第一半导体层的第一部分接触形成第一结并且与第二半导体层的第一部分接触形成第二结；第二金属接触件，该第二金属接触件与第一半导体层的第二部分接触形成第三结并且与第二半导体层的第二部分接触形成第四结，其中第一结和第四结是肖特基接触，第二结和第三结是欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102473455A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032408.7
申请日：2010-07-09
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C13/02 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/34 , G11C2213/54 , G11C2213/55 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要： 公开了非易失性存储器单元及其使用方法。根据各实施例，该存储器单元包括：位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中隧穿区包括位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区。响应于将存储器单元编程至选定阻态的写电流，利用来自金属区和导电区两者的离子迁移在活性界面区中形成高阻性薄膜。
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