发明授权
CN102482767B 溅射靶用铜材料及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 溅射靶用铜材料及其制造方法
- 专利标题（英）： Copper material for use in a sputtering target, and manufacturing method therefor
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申请号： CN201080038093.7申请日： 2010-08-26
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公开(公告)号： CN102482767B公开(公告)日： 2014-05-07
- 发明人: 高桥功 , 广濑清慈 , 仓桥和夫 , 中嶋章文 , 周伟铭
- 申请人： 古河电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人： 古河电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 丁香兰; 褚瑶杨
- 优先权： 2009-198982 2009.08.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2010/064509 2010.08.26
- 国际公布： WO2011/024909 JA 2011.03.03
- 进入国家日期： 2012-02-27
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C22F1/08 ; C22F1/00
摘要：
本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm。I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4？？？？…(1)。
公开/授权文献
- CN102482767A 溅射靶用铜材料及其制造方法 公开/授权日：2012-05-30
IPC分类:
