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CN102484119A 带有具有倒圆拐角的多个支柱的交叉点非易失性存储器件及其制造方法 有权 转让

带有具有倒圆拐角的多个支柱的交叉点非易失性存储器件及其制造方法
摘要：
非易失性存储器件包括多个支柱(1)，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件(110)和存储元件(118)，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层的叠层以及图案化叠层从而形成多个支柱，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件，并且其中多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。
摘要（英）：

A non-volatile memory device includes a plurality of pillars, (1) where each of the plurality of pillars contains a non- volatile memory cell containing a steering element (110) and a storage element (118) and at least one of a top corner or a bottom corner of each of the plurality of pillars is rounded. A method of making non-volatile memory device includes forming a stack of device layers, and patterning the stack to form a plurality of pillars, where each of the plurality of pillars contains a non-volatile memory cell that contains a steering element and a storage element, and where at least one of top corner or bottom corner of each of the plurality of pillars is rounded.

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