公开(公告)号：CN102484119A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080029635.4

申请日：2010-06-10

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： X·陈 ,  H·徐 ,  C·潘

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  G11C17/16 ,  G11C13/02 ,  H01L27/102

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

摘要： 非易失性存储器件包括多个支柱(1)，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件(110)和存储元件(118)，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层的叠层以及图案化叠层从而形成多个支柱，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件，并且其中多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。

公开(公告)号：CN102484119B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080029635.4

申请日：2010-06-10

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： X·陈 ,  H·徐 ,  C·潘

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/10 ,  G11C17/16 ,  G11C13/02 ,  H01L27/102

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

摘要： 非易失性存储器件包括多个支柱(1)，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件(110)和存储元件(118)，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层的叠层以及图案化叠层从而形成多个支柱，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件，并且其中多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。