Invention Publication
CN102522462A 太阳电池和半导体器件以及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 太阳电池和半导体器件以及其制造方法
- Patent Title (English): Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof
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Application No.: CN201210008282.0Application Date: 2006-01-12
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Publication No.: CN102522462APublication Date: 2012-06-27
- Inventor: 西和夫 , 青木智幸 , 伊佐敏行 , 藤井严
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 屠长存
- Priority: 2005-007365 2005.01.14 JP
- The original application number of the division: 2006100051278 2006.01.12
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0224

Abstract:
本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法,目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化,以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成光电转换层;在所述光电转换层上形成有机材料层;在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口;在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层,其中,所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质,因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明,通过在光电转换层的表面上形成有机材料层,可以降低光电转换层的润湿性。从而,可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
Public/Granted literature
- CN102522462B 太阳电池和半导体器件以及其制造方法 Public/Granted day:2015-03-11
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IPC分类: