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公开(公告)号：CN101125324B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710141674.3
申请日：2007-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井严
CPC classification number: H01L21/6715 , B41J2/04508 , B41J2/04581 , B41J2/04588 , B41J2/175 , B41J2/17509 , B41J2/19 , B41J2202/07
Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜方法及液滴喷射方法，其中在液滴喷射装置中去除加压室内的气泡以防止喷射不良，而不废弃大量的材料。提供以下工序：在液滴喷射装置中，在喷射材料之前使连接于加压室的材料供应部内处于减压状态，去除存在于加压室内的气泡。密封连接到外部的流道如加压室的喷嘴表面的开口和材料供应部的材料注入口等，并且使用泵等减压装置从连接到材料供应部的进出口减压加压室及材料供应部。
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公开(公告)号：CN101424829B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810173990.3
申请日：2008-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/13392 , G02F2202/28
Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位，以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置，以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中，球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理，以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域，并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此，可通过在干燥液体时移动球形隔离件，来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。
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公开(公告)号：CN1825654B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200610005127.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/48 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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公开(公告)号：CN100546034C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200680004452.0
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井严
IPC: H01L27/10 , H01L21/768 , H01L51/05 , H01L23/522 , H01L27/28
CPC classification number: H01L27/283 , H01L23/5254 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是以低成本提供制造较高可靠性的存储器装置和半导体装置的技术，该半导体装置装配有存储器装置。本发明的半导体装置具有第一导电层，与第一导电层的侧端部接触的第一绝缘层，在第一导电层和第一绝缘层上提供的第二绝缘层，以及在第二绝缘层上提供的第二导电层。第二绝缘层是由绝缘材料形成的，且在绝缘材料流体化时对流体化物质的可润湿性比第一导电层的高。
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公开(公告)号：CN100490091C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510129683.1
申请日：2005-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/12 , H01L23/48 , H01L23/5227 , H01L24/11 , H01L27/0629 , H01L27/1266 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L28/10 , H01L29/78621 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2924/00014 , H01L2924/07811 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345197A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810133345.9
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触空穴的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触空穴的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触空穴。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。
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公开(公告)号：CN1825654A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005127.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/48 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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公开(公告)号：CN1734776A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
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公开(公告)号：CN1661775A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004768.7
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B5/201 , G03F7/0007 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。
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公开(公告)号：CN1599523A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078766.8
申请日：2004-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/529 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L29/66757 , H01L51/5206 , H01L51/5246 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的一个结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。
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