发明授权
- 专利标题： MOS晶体管及其形成方法
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申请号： CN201010618284.2申请日： 2010-12-31
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公开(公告)号： CN102544098B公开(公告)日： 2014-10-01
- 发明人: 钟汇才 , 梁擎擎 , 杨达 , 赵超
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L29/51 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅堆叠结构，所述栅堆叠结构包括依次位于所述半导体衬底上的栅介质层和栅电极；源区和漏区，位于所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中；牺牲金属侧墙，位于所述栅堆叠结构的侧壁，且具有张应力或压应力。本发明有利于降低等效氧化层厚度，增强器件一致性，提高载流子迁移率，增强器件性能。
公开/授权文献
- CN102544098A MOS晶体管及其形成方法 公开/授权日：2012-07-04
IPC分类:
