本发明实施例公开了一种MOS器件及其制造方法，所述器件包括：阱区位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区，所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区；所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。本发明实施例所提供的技术方案中，能够有效的减少高低压栅氧交界区对器件空间的占用，进而可以减小器件的间距，实现在相同的晶片面积中制造更多的器件，提高器件的生产效率和集成度，降低器件的生产成本。