发明授权
- 专利标题: 一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法
- 专利标题(英): Hydrogen-free silicon incorporated diamond film and preparation method thereof
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申请号: CN201210072931.3申请日: 2012-03-16
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公开(公告)号: CN102586735B公开(公告)日: 2014-02-26
- 发明人: 胡芳 , 代明江 , 林松盛 , 侯惠君 , 韦春贝 , 石倩 , 张贺勇
- 申请人: 广州有色金属研究院
- 申请人地址: 广东省广州市天河区长兴路363号
- 专利权人: 广州有色金属研究院
- 当前专利权人: 广东省新材料研究所
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区长兴路363号
- 代理机构: 广东世纪专利事务所
- 代理商 千知化
- 主分类号: C23C14/06
- IPC分类号: C23C14/06 ; C23C14/35
摘要:
一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体(1);金属层(2);金属碳化物层(3);掺硅类金刚石膜层(4)构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积,依次氩离子清洗基体;沉积金属层和金属碳化物层;沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比,本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单,重复性好,可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层,能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求,提高其使用的精度、灵敏度和可靠性,适用于超集成电路、医用器械、光学元件、雷达、航空飞行器等。
公开/授权文献
- CN102586735A 一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法 公开/授权日:2012-07-18
IPC分类: