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公开(公告)号：CN103866241B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410063647.9
申请日：2014-02-25
摘要： 一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置，主要由真空室、热蒸发装置、磁控溅射装置、离子轰击或偏压系统、鼠笼式自公转行星工件架和加热器构成。本发明既能实现离子辅助热蒸发复合磁控溅射沉积薄膜，也能实现单一的离子辅助热蒸发或磁控溅射沉积薄膜；采用离子轰击或偏压系统进一步提高膜基结合力和薄膜质量；采用鼠笼式自公转行星工件架结构，实现所镀工件在炉内三维转动，可保证工件表面膜层厚度均匀；且既保证被处理工件的批量化生产，实现工作表面100%覆盖涂层，又能保证膜层的质量，具有生产效率和自动化控制程度高，工艺可重复性好，易操作等优点，可广泛应用于钕铁硼永磁材料、高强钢紧固件及钛合金紧固件等材料的表面防护涂层处理。
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公开(公告)号：CN103866241A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410063647.9
申请日：2014-02-25
摘要： 一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置，主要由真空室、热蒸发装置、磁控溅射装置、离子轰击或偏压系统、鼠笼式自公转行星工件架和加热器构成。本发明既能实现离子辅助热蒸发复合磁控溅射沉积薄膜，也能实现单一的离子辅助热蒸发或磁控溅射沉积薄膜；采用离子轰击或偏压系统进一步提高膜基结合力和薄膜质量；采用鼠笼式自公转行星工件架结构，实现所镀工件在炉内三维转动，可保证工件表面膜层厚度均匀；且既保证被处理工件的批量化生产，实现工作表面100%覆盖涂层，又能保证膜层的质量，具有生产效率和自动化控制程度高，工艺可重复性好，易操作等优点，可广泛应用于钕铁硼永磁材料、高强钢紧固件及钛合金紧固件等材料的表面防护涂层处理。
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公开(公告)号：CN102965621A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210443951.7
申请日：2012-11-08
申请人： 广州有色金属研究院
摘要： 一种ZnO透明导电膜层的制备方法。由以下步骤组成：(1)衬底除油、清洗、烘干后放入真空室中，本底真空度＜4.0×10-3Pa，工作温度为室温，气压0.2～0.6Pa，离子源200～400W和偏压200～800V下，用氩离子轰击清洗衬底5～20min；(2)Ga2O3和ZnF2掺杂的ZnO作为靶材，氩气流量50-250sccm，氩气压为0.1～1.0Pa，衬底温度为室温，中频靶功率为2～20W/cm2，沉积时间5～20min，中频磁控溅射沉积Ga-F双掺杂ZnO(GFZO)膜层。本发明所沉积的GFZO膜层晶粒大小均匀、组织致密，可见光透过率高达90％，电阻率低至6.4×10-4Ω·cm。本发明的方法清洁环保，对人体无害，工艺简单，可以实现大面积工业化生产。
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公开(公告)号：CN102168269A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110063710.5
申请日：2011-03-16
申请人： 广州有色金属研究院
摘要： 一种稀土催渗等离子氮碳共渗与氮碳化钛复合膜层的制备方法。其特征是由以下步骤组成：(1)稀土催渗等离子氮碳共渗：将基材置于离子渗氮炉中，在50Pa以下，通入氮气∶氢气＝1∶1～10∶1和含有稀土金属氧化物饱和的C1～3烷基醇溶液蒸汽的混合气体；(2)采用等离子化学气相沉积氮碳化钛膜层：用四异丙基钛(Ti[OC3H7]4)为钛源，在等离子体化学气相沉积(简称PCVD)设备上进行沉积Ti(CN)涂层。本发明制备的稀土催渗等离子氮碳共渗与氮碳化钛复合膜层具有硬度高，与基体硬度差异小，高的膜/基结合力的特点。本发明的方法清洁环保，工艺简单，可以实现大面积工业化生产。
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公开(公告)号：CN104193420B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410333087.4
申请日：2014-07-14
IPC分类号： B32B9/00
摘要： 一种碳/碳复合材料多层涂层及其制备方法。所述多层涂层依次由在碳/碳复合材料基体上的SiC底层、SiC过渡层和陶瓷层/SiC层交替层构成。所述的碳/碳复合材料多层涂层的制备方法是SiC底层的制备方法为刷涂法、喷涂法或磁控溅射法。SiC过渡层和陶瓷层/SiC层交替层的制备依次方法为：将带有SiC底层的碳/碳复合材料用丙酮超声清洗，烘干；采用离子源溅射清洗；采用磁控溅射法制备SiC过渡层和陶瓷层/SiC层交替层。本发明制备的多层涂层在1500℃下具有良好的抗氧化性能和抗热震性能。本发明的制备方法具有厚度可控的特点，制备的涂层厚度均匀性好。
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公开(公告)号：CN103247742B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310140041.6
申请日：2013-04-22
申请人： 广州有色金属研究院
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 一种LED散热基板及其制造方法，包括由金刚石-铜合金材料制成的基板主体，在基板主体上开设有凹槽，在凹槽内镶嵌有金刚石片，在金刚石片的上表面设有电极导线区和用于连接LED芯片的芯片连接层。本发明由于采用了将金刚石片与金刚石-铜合金材料制成的基板主体结合成LED散热基板的结构，有效地避免了现有的LED散热器因引入绝缘层而存在的散热瓶颈的问题，而且将金刚石片紧密地镶嵌在基板主体上开设的凹槽内，增加了金刚石片与基板主体的接触面积，使LED芯片传到金刚石片上的热量能快速地传导出去，同时金刚石片与基板主体、LED芯片与金刚石片分别通过钎焊的方式连接为一体，能够获得致密的合金界面，使界面的热导率高。
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公开(公告)号：CN102586735B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210072931.3
申请日：2012-03-16
申请人： 广州有色金属研究院
摘要： 一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体(1)；金属层(2)；金属碳化物层(3)；掺硅类金刚石膜层(4)构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积，依次氩离子清洗基体；沉积金属层和金属碳化物层；沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比，本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单，重复性好，可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层，能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求，提高其使用的精度、灵敏度和可靠性，适用于超集成电路、医用器械、光学元件、雷达、航空飞行器等。
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公开(公告)号：CN102517554A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110455531.6
申请日：2011-12-29
申请人： 广州有色金属研究院
摘要： 一种AZO膜层室温沉积方法。其特征是由以下步骤组成：(1)将衬底进行超声波清洗、烘干后放入真空室中，本底真空度小于4.0×10-3Pa，在室温，工件转速0～2rpm，气压0.2～0.5Pa，离子源300～500W和负偏压300～800V下，用Ar离子轰击清洗衬底5～20min；(2)中频磁控溅射沉积AZO膜层，Ar气压为0.1～0.5Pa，离子源功率为30～100W，负偏压为0～100V，AZO陶瓷靶功率为3～8W/cm2，沉积时间为5～10min。本发明采用中频磁控溅射结合离子源辅助技术，在室温条件下沉积AZO透明导电膜层。本发明的方法清洁环保，对人体无害，工艺简单，成本低，可以实现大面积工业化生产。
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公开(公告)号：CN101210310B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710032728.2
申请日：2007-12-21
申请人： 广州有色金属研究院
摘要： 一种微型钻头表面改性用多元多层硬质薄膜材料及其制备方法。该多元多层硬质薄膜材料依次由基材、金属过渡层Cr、金属氮化物过渡层CrN、硬质耐磨层CrTiAlCN、自润滑层类金刚石组成。其制备方法采用Cr、Ti、Al金属靶材和Ar、N2、C2H2或CH4气体，依次轰击清洗微型钻头，沉积Cr层、CrN层、CrTiAlCN层、类金刚石层。本发明提供的多元多层硬质薄膜材料显微硬度较高，达到HV2500～3500，膜/基结合力≥70N，且易于在100～200℃下制备，可在Φ0.1～2.0mm的整体式或焊接式硬质合金微型钻头表面均匀沉积，能显著提高微型钻头的使用寿命及加工印刷线路板的质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN101823353A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168336.0
申请日：2010-04-30
申请人： 广州有色金属研究院
摘要： 一种金属-类金刚石纳米复合膜，其特征是依次由基材(1)、金属过渡层(2)、金属氮化物过渡层(3)、金属碳化物过渡层(4)和掺金属类金刚石层(5)构成。其制备方法采用Ti、Cr或W靶，依次轰击清洗基材，沉积金属层，金属氮化物层，金属碳化物层和沉积掺金属类金刚石层。本发明提供的金属-类金刚石纳米复合膜具有低的摩擦系数，高的耐磨性，良好的耐腐蚀性和生物相容性以及颜色均匀一致性。本发明的金属-类金刚石(Me-DLC)纳米复合膜适合用于手表壳体、饰物、工艺品等的表面涂层。
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