一种LED散热基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN103247742A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310140041.6

    申请日:2013-04-22

    IPC分类号: H01L33/48 H01L33/64 H01L33/54

    摘要: 一种LED散热基板及其制造方法,包括由金刚石-铜合金材料制成的基板主体,在基板主体上开设有凹槽,在凹槽内镶嵌有金刚石片,在金刚石片的上表面设有电极导线区和用于连接LED芯片的芯片连接层。本发明由于采用了将金刚石片与金刚石-铜合金材料制成的基板主体结合成LED散热基板的结构,有效地避免了现有的LED散热器因引入绝缘层而存在的散热瓶颈的问题,而且将金刚石片紧密地镶嵌在基板主体上开设的凹槽内,增加了金刚石片与基板主体的接触面积,使LED芯片传到金刚石片上的热量能快速地传导出去,同时金刚石片与基板主体、LED芯片与金刚石片分别通过钎焊的方式连接为一体,能够获得致密的合金界面,使界面的热导率高。

    一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法

    公开(公告)号:CN102586735A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210072931.3

    申请日:2012-03-16

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/35

    摘要: 一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体(1);金属层(2);金属碳化物层(3);掺硅类金刚石膜层(4)构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积,依次氩离子清洗基体;沉积金属层和金属碳化物层;沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比,本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单,重复性好,可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层,能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求,提高其使用的精度、灵敏度和可靠性,适用于超集成电路、医用器械、光学元件、雷达、航空飞行器等。

    一种钕铁硼永磁材料表面防护层及其制备方法

    公开(公告)号:CN103572217B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310556568.7

    申请日:2013-11-11

    摘要: 一种钕铁硼永磁材料表面防护层及其制备方法。其特征在于所述表面防护层依次由钕铁硼基材1;铝过渡层2和蒸发镀铝层3构成。所述的表面防护层的制备方法,其特征在于依次由下列步骤组成:1)对钕铁硼永磁材料镀前除油、除锈处理;2)工件装进真空室并抽真空后,辉光放电离子清洗;3)磁控溅射铝靶或阴极电弧铝靶沉积铝过渡层;4)高偏压离子轰击;5)蒸发镀铝层。本发明提供一种环保、防止腐蚀液残留的钕铁硼永磁材料表面防护层及其膜/基结合力好、膜层致密、耐腐蚀性能优异的钕铁硼永磁材料表面防护层的制备方法。本发明方法解决了一般气相沉积法存在的生产效率与耐腐蚀性能相矛盾的技术瓶颈,适用于快速的大规模工业生产。

    一种固体润滑多层复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105568215A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201510989894.6

    申请日:2015-12-28

    摘要: 本发明公开了一种固体润滑多层复合膜及其制备方法。固体润滑多层复合膜依次由基体(1)、金属底层Me(2)、CuNiIn层(3)、金属过渡层Me(4)和MoS2-Me层(5)构成。其制备方法:采用磁控溅射方法,首先在基体(1)上沉积金属底层(2),然后依次沉积CuNiIn层(3)、金属过渡层Me(4)和MoS2-Me层(5),交替沉积形成多层结构,最外层为MoS2-Me层(5)。本发明的多层结构的固体润滑复合膜具有结合强度高、摩擦系数低的性能特点,摩擦系数低至0.06,具有优良的自润滑、抗咬合性能和耐磨寿命,可应用在轴承、齿轮、叶片、工模具等部件上。

    一种碳/碳复合材料多层涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN104193420A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410333087.4

    申请日:2014-07-14

    IPC分类号: C04B41/89

    摘要: 一种碳/碳复合材料的多层涂层及其制备方法。所述多层涂层依次由在碳/碳复合材料基体上的SiC底层、SiC过渡层和SiC层/陶瓷层交替层构成。所述的碳/碳复合材料多层涂层的制备方法是SiC底层的制备方法为刷涂法、喷涂法或磁控溅射法。SiC过渡层和SiC层/陶瓷层交替层的制备依次方法为:将带有SiC底层的碳/碳复合材料用丙酮超声清洗,烘干;采用离子源溅射清洗;采用磁控溅射法制备SiC过渡层和SiC层/陶瓷层交替层。本发明制备的多层涂层在1500℃下具有良好的抗氧化性能和抗热震性能。本发明的制备方法具有厚度可控的特点,制备的涂层厚度均匀性好。

    一种钕铁硼永磁材料表面防护层及其制备方法

    公开(公告)号:CN103572217A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310556568.7

    申请日:2013-11-11

    摘要: 一种钕铁硼永磁材料表面防护层及其制备方法。其特征在于所述表面防护层依次由钕铁硼基材1;铝过渡层2和蒸发镀铝层3构成。所述的表面防护层的制备方法,其特征在于依次由下列步骤组成:1)对钕铁硼永磁材料镀前除油、除锈处理;2)工件装进真空室并抽真空后,辉光放电离子清洗;3)磁控溅射铝靶或阴极电弧铝靶沉积铝过渡层;4)高偏压离子轰击;5)蒸发镀铝层。本发明提供一种环保、防止腐蚀液残留的钕铁硼永磁材料表面防护层及其膜/基结合力好、膜层致密、耐腐蚀性能优异的钕铁硼永磁材料表面防护层的制备方法。本发明方法解决了一般气相沉积法存在的生产效率与耐腐蚀性能相矛盾的技术瓶颈,适用于快速的大规模工业生产。

    一种W-S-C复合膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101921983B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201010274926.1

    申请日:2010-09-08

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/34

    摘要: 一种W-S-C复合膜的制备方法。其特征是采用气体离子源辅助沉积,采用直流磁控溅射沉积金属过渡层,采用中频磁控溅射WS2靶沉积WS2和磁控溅射石墨靶形成DLC获得W-S-C复合膜。本发明的方法可以获得较高的沉积速率,并且清洁环保,对人体安全无害。本发明的方法制备的W-S-C复合膜层硬度达到HV≥350、膜/基结合力≥40N,摩擦系数在0.02~0.15之间,具有良好的抗摩擦磨损性能和表面润滑效果,并提高使用寿命。在航空航天中的高真空、辐射、高温等情况下具有良好的应用前景。本发明的方法清洁环保,对人体无害,工艺简单,可以实现大面积工业化生产。

    一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置

    公开(公告)号:CN103866241B

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201410063647.9

    申请日:2014-02-25

    IPC分类号: C23C14/26 C23C14/35 C23C14/14

    摘要: 一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置,主要由真空室、热蒸发装置、磁控溅射装置、离子轰击或偏压系统、鼠笼式自公转行星工件架和加热器构成。本发明既能实现离子辅助热蒸发复合磁控溅射沉积薄膜,也能实现单一的离子辅助热蒸发或磁控溅射沉积薄膜;采用离子轰击或偏压系统进一步提高膜基结合力和薄膜质量;采用鼠笼式自公转行星工件架结构,实现所镀工件在炉内三维转动,可保证工件表面膜层厚度均匀;且既保证被处理工件的批量化生产,实现工作表面100%覆盖涂层,又能保证膜层的质量,具有生产效率和自动化控制程度高,工艺可重复性好,易操作等优点,可广泛应用于钕铁硼永磁材料、高强钢紧固件及钛合金紧固件等材料的表面防护涂层处理。

    一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置

    公开(公告)号:CN103866241A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410063647.9

    申请日:2014-02-25

    IPC分类号: C23C14/26 C23C14/35 C23C14/14

    摘要: 一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置,主要由真空室、热蒸发装置、磁控溅射装置、离子轰击或偏压系统、鼠笼式自公转行星工件架和加热器构成。本发明既能实现离子辅助热蒸发复合磁控溅射沉积薄膜,也能实现单一的离子辅助热蒸发或磁控溅射沉积薄膜;采用离子轰击或偏压系统进一步提高膜基结合力和薄膜质量;采用鼠笼式自公转行星工件架结构,实现所镀工件在炉内三维转动,可保证工件表面膜层厚度均匀;且既保证被处理工件的批量化生产,实现工作表面100%覆盖涂层,又能保证膜层的质量,具有生产效率和自动化控制程度高,工艺可重复性好,易操作等优点,可广泛应用于钕铁硼永磁材料、高强钢紧固件及钛合金紧固件等材料的表面防护涂层处理。