具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
摘要:
本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法,该隧穿晶体管包括:具有第一掺杂类型的半导体衬底,所述半导体衬底为源区或漏区;形成在所述半导体衬底上的沟道区,其中,所述半导体衬底上未形成所述沟道区的区域形成有绝缘层;形成在所述沟道区和绝缘层上的具有第二掺杂类型的漏区或源区,所述漏区或源区的第一部分包覆所述沟道区的第一部分;形成在所述漏区或源区的第一部分上的栅结构,所述栅结构包覆所述漏区或源区的第一部分。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以改善TFET器件的驱动能力。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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