发明公开
- 专利标题: 一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法
- 专利标题(英): Array substrate of X-ray detection device and manufacturing method thereof
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申请号: CN201210084693.8申请日: 2012-03-27
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公开(公告)号: CN102629610A公开(公告)日: 2012-08-08
- 发明人: 谢振宇 , 徐少颖 , 陈旭
- 申请人: 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
- 专利权人: 北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L21/77
摘要:
本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板及其制造方法,包括薄膜晶体管器件和与薄膜晶体管器件相连的光电二极管传感器件,其中,所述薄膜晶体管器件包括:形成于衬底基板之上的源极和漏极;形成于源极和漏极之上的欧姆层;形成于欧姆层之上并与源极和漏极形成沟道的有源层;形成于有源层之上并覆盖整个基板的栅极绝缘层;形成于栅极绝缘层之上,并位于有源层上方的栅极。由于薄膜晶体管器件为顶栅型结构,因此在进行光电二极管和透明电极刻蚀时可使沟道受到有效保护,省去了沟道阻挡层的掩模工艺形成过程,简化了阵列基板的制造工艺,提高了产能;顶栅型的栅极有效遮挡光线使得沟道漏电流大大减少,无需再另外设置光罩,进一步降低了生产成本。
IPC分类: