公开(公告)号：CN108550595B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201810427616.5

申请日：2018-05-07

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 谢振宇 ,  毛利军 ,  李田生

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种X‑ray探测器阵列基板及其制作方法、X‑ray探测器，涉及探测器技术领域，能够有效避免过刻问题。该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管以及接收电极；形成第一钝化层；形成第一过孔和第二过孔；形成光电转换层；对光电转换层进行刻蚀，保留第二过孔对应区域的光电转换层，保留第一过孔中的光电转换层中的部分膜层；对树脂层和第二钝化层进行刻蚀，在第一过孔对应区域形成过孔露出第一过孔中的光电转换层中的部分膜层，在第一导电层上的树脂层和第二钝化层上形成过孔，露出第一导电层。该阵列基板的制作方法主要用于X‑ray探测器的制造过程中避免过刻问题。

公开(公告)号：CN109427697B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201710778797.1

申请日：2017-09-01

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 李田生 ,  谢振宇 ,  毛利军

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  C12M1/34

Abstract: 本发明公开了一种基因检测芯片、其制作方法及检测方法，该基因检测芯片中数据线为具有多个膜层的多层结构；数据线的第一膜层与电极同层设置；第一膜层的材料为第一类金属材料；数据线的多个膜层中除第一膜层之外的至少一个膜层的材料为第二类金属材料；第二类金属材料的电阻率小于第一类金属材料的电阻率。这样通过将数据线设置为多层结构，其中数据线的第一膜层可以与电极同层同材质，采用与基因分子匹配性较好但电阻率高的金属材料，而数据线的其他膜层采用电阻率较小的金属材料，这样既能保证电极的匹配性又能降低数据线的电阻，从而可以降低基因检测的噪声。

公开(公告)号：CN109427697A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710778797.1

申请日：2017-09-01

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 李田生 ,  谢振宇 ,  毛利军

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  C12M1/34

Abstract: 本发明公开了一种基因检测芯片、其制作方法及检测方法，该基因检测芯片中数据线为具有多个膜层的多层结构；数据线的第一膜层与电极同层设置；第一膜层的材料为第一类金属材料；数据线的多个膜层中除第一膜层之外的至少一个膜层的材料为第二类金属材料；第二类金属材料的电阻率小于第一类金属材料的电阻率。这样通过将数据线设置为多层结构，其中数据线的第一膜层可以与电极同层同材质，采用与基因分子匹配性较好但电阻率高的金属材料，而数据线的其他膜层采用电阻率较小的金属材料，这样既能保证电极的匹配性又能降低数据线的电阻，从而可以降低基因检测的噪声。

公开(公告)号：CN104425622B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201310397515.5

申请日：2013-09-04

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 田宗民 ,  陈旭 ,  谢振宇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，包括制备源极、漏极以及沟道；其中，所述沟道与所述源极、漏极同层设置；所述沟道包括通过材料改性的方式而使导体具备半导体性质的材料。本发明的薄膜晶体管及其制备方法，将改性后具备半导体性质的结构作为源极、漏极之间的沟道，这种免刻蚀的沟道形成方式可以有效避免应用刻蚀方式形成沟通所引起的不良，能够有效提高产品品质。并且，在形成沟道时将沟道与源极、漏极同层设置，这样栅极与源极、漏极之间正对面积减小，因此源极、漏极与栅极之间的耦合电容减小，因此能够有效降低产品功耗。另外，本发明的薄膜晶体管的制备过程，相比目前常见的制备工艺明显简化了工艺流程，提高了产品的产能。

公开(公告)号：CN103985671B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410183494.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 张文余 ,  谢振宇 ,  郭建

IPC: H01L21/77 ,  H01L23/50 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置，涉及显示领域，能够解决因有源层残留导致的开口率降低的技术问题。本发明的阵列基板制备方法，包括：形成栅金属层的工序，所述栅金属层包括栅线；有源层的成膜工序和信号线金属层的成膜工序，所述信号线金属层包括数据线；以及，通过半色调掩膜工艺同时形成有源层图形和信号线金属层图形的工序；在所述有源层的成膜工序之后，所述信号线金属层的成膜工序之前，还包括：通过构图工艺，将所述有源层的第一区域镂空，所述第一区域位于显示区域的数据线下方，且，所述数据线与所述栅线的交叠区域除外。

公开(公告)号：CN103094295B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310024573.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 谢振宇

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明公开了一种平板探测器及其制作方法以及设置有所述平板探测器的摄像装置，涉及摄像领域，可以在不影响像素开口率的情况下，增加存储电容，提高图像采集能力，从而有助于实现平板探测器的高分辨率。本发明所述平板探测器，包括：用于将X射线转换为电荷的转化层和设置在所述转化层之下的像素检测元件；像素检测元件包括：用于接收所述电荷的像素电极，存储接收电荷的存储电容，以及控制存储电荷输出的薄膜晶体管；存储电容包括：第一电极，包括：相对设置的上电极和下电极，且上电极与下电极电性连接；第二电极，夹设在所述上电极和下电极之间；上电极与第二电极之间，第二电极与下电极之间均设置有绝缘层或者起绝缘作用的间隔层。

公开(公告)号：CN101799603B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN200910077686.3

申请日：2009-02-11

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 刘翔 ,  林承武 ,  陈旭 ,  谢振宇 ,  车春城

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述栅线的上方形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极。进一步地，所述存储电极与所述数据线同层设置，所述存储电极通过栅绝缘层薄膜上开设的栅绝缘层过孔与所述栅线连接。所述存储电极分段设置在所述数据线两侧的栅线的上方。本发明通过将存储电极设置在栅线上方，提高了单位面积存储电容，同时不会遮挡像素区域，因此有效提高了开口率和显示亮度，从整体上提高了显示质量。

公开(公告)号：CN102629046B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110175220.4

申请日：2011-06-29

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 郭建 ,  闵泰烨 ,  陈旭 ,  谢振宇 ,  张文余

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器件，涉及液晶显示技术领域，为提高像素开口率而发明。所述阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层。本发明可用于进行液晶显示。

公开(公告)号：CN104576526A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310710867.1

申请日：2013-12-19

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 阎长江 ,  谢振宇 ,  郭建 ,  陈旭

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，其制备方法包括：在基板上依次形成栅极和栅线、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、数据线、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、公共电极，其中源极、漏极、数据线与第一钝化层过孔在同一次构图工艺中形成。本发明的制备工艺中省去了保护层的制作，优化了制备工艺，缩短了生产周期，避免了倒角不良的缺陷，提升了第一钝化层的透过率，改善了画质亮度，进一步降低了显示装置的使用功耗，同时也减少了成本，提升了量产。

公开(公告)号：CN104124277A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310146651.7

申请日：2013-04-24

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 阎长江 ,  龙君 ,  朱孝会 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：形成于基板上的栅极，形成于栅极上覆盖整个基板的栅绝缘层，形成于栅绝缘层上的半导体层，形成于半导体层上的阻挡层，形成于栅绝缘层上的位于阻挡层两侧的源极和漏极，以及形成于漏极上的信号端子；所述半导体层为氧化物半导体薄膜层，且所述源极、漏极与所述半导体层同层设置。本发明还同时公开了薄膜晶体管的制作方法和一种阵列基板，本发明可有效解决源漏极与氧化物半导体层电学接触不良的问题。