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发明公开
CN102714221A 电路基板、显示装置和电路基板的制造方法 无效 - 撤回

电路基板、显示装置和电路基板的制造方法
摘要：
本发明提供TFT的半导体层包括氧化物半导体且使用低电阻的铝配线的、可靠性优异的电路基板。本发明的电路基板是具有氧化物半导体层、源极配线和漏极配线的电路基板，上述源极配线和该漏极配线分别具有与该半导体层接触的部分，该源极配线的与该半导体层接触的部分和该漏极配线的与该半导体层接触的部分隔开间隔相对，并且该源极配线和该漏极配线通过将含有铝以外的金属的层和含有铝的层层叠而形成。
摘要（英）：

Disclosed is a circuit board in which a semiconductor layer in a TFT is composed of an oxide semiconductor and a low-resistant aluminum wiring is used, and which has excellent reliability. The circuit board comprises an oxide semiconductor layer, a source wiring and a drain wiring, wherein each of the source wiring and the drain wiring has a part that contacts with the semiconductor layer, the part of the source wiring which contacts with the semiconductor layer and the part of the drain wiring which contacts with the semiconductor layer face each other with a space therebetween, and each of the source wiring and the drain wiring is produced by laminating a layer comprising a metal other than aluminum and a layer comprising aluminum on each other.

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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