公开(公告)号：CN109698205B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201811238583.6

申请日：2018-10-23

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  伊藤俊克

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

公开(公告)号：CN109698205A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811238583.6

申请日：2018-10-23

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  伊藤俊克

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

公开(公告)号：CN109597234A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811139272.4

申请日：2018-09-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原义仁 ,  前田昌纪 ,  伊藤俊克 ,  川崎达也

IPC分类号： G02F1/1333

摘要： 一种显示面板，抑制位置检测配线与其它配线发生干扰的事态。其特征在于，具备：玻璃基板(31)；多个像素电极(33)，其设置于玻璃基板(31)；多个位置检测电极(48)，其设置于玻璃基板(31)，检测位置输入体的输入位置；多个TFT(32)，其在玻璃基板(31)中相比于像素电极(33)和位置检测电极(48)设置在下层，连接到多个像素电极(33)中的每一个像素电极(33)；位置检测配线(50)，其在玻璃基板(31)中相比于TFT(32)设置在下层，电连接到位置检测电极(48)；以及SOG膜(52)，其配置在位置检测配线(50)与TFT(32)之间。

公开(公告)号：CN105793772A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480063249.5

申请日：2014-07-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原健吾 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC分类号： G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC分类号： G02F1/1345 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

摘要： 液晶面板(11)包括：阵列基板(11b)，其具有显示部(AA)和非显示部(NAA)；配置在非显示部(NAA)的行控制电路部(28)；构成行控制电路部(28)的第一配线部(29)；第二配线部(30)，其构成行控制电路部(28)，并且以与第一配线部(29)交叉的形式配置在第一配线部(29)的上层侧；以介于第一配线部(29)与第二配线部(30)之间的形式配置的栅极绝缘膜(35)；和有机绝缘膜(40)，其配置在第二配线部(30)的上层侧，并且具有至少在与第一配线部(29)和第二配线部(30)的交叉部位(29a、30a)重叠的范围开口的开口部(31)，且由有机树脂材料构成。

公开(公告)号：CN103229095B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280003813.5

申请日：2012-01-24

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L33/0095 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136268 ,  G02F2201/508 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明包括：多个开关元件，其在透明基板（10）上按各子像素分别设置，各自具有以相互分离的方式配置的源极电极和漏极电极（14b）；以覆盖各开关元件的方式设置、依次叠层无机绝缘膜（15）和有机绝缘膜（16）而得到的层间绝缘膜（17）；设置在层间绝缘膜（17）上的电容电极（18a）；以覆盖电容电极（18a）的方式设置的电容绝缘膜（19）；和多个像素电极（20a），其设置在电容绝缘膜（19）上，与电容电极（18a）相对地按各子像素构成辅助电容（6），以与电容电极（18a）绝缘的状态分别与各开关元件的漏极电极（14b）连接，并且，包括漏极电极（14b）和电容电极（18a）隔着从有机绝缘膜（16）露出的无机绝缘膜（15）相互重叠的连接区域（R）。

公开(公告)号：CN102483546B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080038924.0

申请日：2010-04-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2201/40

摘要： 本发明提供即使进行像素的高精细化也能以简单构成确保所需的辅助电容并且实现像素的开口率的提高的显示装置及其制造方法。本发明的液晶显示装置是具有多个像素的液晶显示装置，薄膜晶体管阵列基板具备：栅极线和源极线，其按格子状配置于支撑基板的主面上；透明像素电极；薄膜晶体管；以及从支撑基板侧起依次层叠的栅极绝缘膜、钝化膜、透明导电膜、第1绝缘膜以及透明像素电极，透明像素电极通过形成于第1绝缘膜中的接触孔与构成薄膜晶体管的漏极电极电连接，从法线方向观看基板面时，透明导电膜与将透明像素电极和漏极电极电连接的区域不重叠。

公开(公告)号：CN102388338B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201080016336.7

申请日：2010-01-20

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  中田幸伸 ,  渡边启三

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/134309 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1393

摘要： 本发明提供在使用梳齿状电极对液晶施加电压的垂直取向型的液晶显示装置中能减少在电极的顶端产生的液晶的取向不良、具有高对比度和白亮度、且显示特性优良的液晶显示装置及其制造方法。上述液晶显示装置设有用于对被夹持在一对基板间的液晶层施加电压的电极，本发明的液晶显示装置的制造方法包含：抗蚀剂图案形成工序，隔着光掩模对形成于导电膜上的抗蚀剂膜进行曝光处理；以及电极图案形成工序，隔着上述抗蚀剂图案对上述导电膜进行蚀刻处理，上述光掩模具备遮光或者透光图案，上述遮光或者透光图案具备主干部和从该主干部分支的多个支部，上述支部在顶端设有大宽度部。

公开(公告)号：CN102714221A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061861.0

申请日：2010-10-25

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供TFT的半导体层包括氧化物半导体且使用低电阻的铝配线的、可靠性优异的电路基板。本发明的电路基板是具有氧化物半导体层、源极配线和漏极配线的电路基板，上述源极配线和该漏极配线分别具有与该半导体层接触的部分，该源极配线的与该半导体层接触的部分和该漏极配线的与该半导体层接触的部分隔开间隔相对，并且该源极配线和该漏极配线通过将含有铝以外的金属的层和含有铝的层层叠而形成。

公开(公告)号：CN101484839B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780024821.7

申请日：2007-06-08

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原义仁 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  今井元

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/133555 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/136227

摘要： 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供一种高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备使入射光向显示面反射的反射部的液晶显示装置，反射部包括绝缘层、在绝缘层上形成的半导体层和在半导体层上形成的反射层，在反射层的表面形成有第一凹部和位于第一凹部内侧的第二凹部，反射部包括绝缘层的厚度与半导体层的厚度的合计厚度互不相同的第一区域和第二区域，所述第一凹部和所述第二凹部根据所述绝缘层和所述半导体层中至少一方的截面形状而形成。

公开(公告)号：CN101529317B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200780038782.6

申请日：2007-10-16

申请人： 夏普株式会社

发明人： 今出光则 ,  今井元 ,  北川英树 ,  菊池哲郎 ,  原义仁 ,  嶋田纯也

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/34

摘要： 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种反射效率高的高画质的半透过型和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备反射区域的液晶显示装置，反射区域包括在具有多个凹部的金属层上形成的绝缘层、半导体层和反射层，在所述金属层的多个凹部之间，形成有多个分别具有底面、上表面和斜面的所述金属层的凸部，在设所述多个凸部各自的底面的宽度为a，底面与上表面之间的厚度为x，斜面相对于底面的倾斜角为θ，所述绝缘层、所述半导体层和所述反射层合计的厚度为y时，所述金属层的所述多个凸部的至少1个的底面的宽度a满足a≤2(x+y)/tanθ。