- 专利标题： 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用
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申请号： CN201180007613.2申请日： 2011-01-27
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公开(公告)号： CN102782818B公开(公告)日： 2016-04-27
- 发明人: 荣格·韩 , 孙乾 , 张宇
- 申请人： 耶鲁大学
- 申请人地址： 美国康涅狄格州
- 专利权人： 耶鲁大学
- 当前专利权人： 耶鲁大学
- 当前专利权人地址： 美国康涅狄格州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权： 61/298,788 2010.01.27 US; 61/326,722 2010.04.22 US; 61/347,001 2010.05.21 US; 61/347,054 2010.05.21 US; 61/369,287 2010.07.30 US; 61/369,333 2010.07.30 US; 61/369,306 2010.07.30 US; 61/369,274 2010.07.30 US; 61/369,322 2010.07.30 US; 61/371,308 2010.08.06 US; 61/385,300 2010.09.22 US
- 国际申请： PCT/US2011/022701 2011.01.27
- 国际公布： WO2011/094391 EN 2011.08.04
- 进入国家日期： 2012-07-27
- 主分类号： H01L21/326
- IPC分类号： H01L21/326
摘要：
本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。
公开/授权文献
- CN102782818A 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用 公开/授权日：2012-11-14
IPC分类:
