公开(公告)号：CN105821435B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201610206389.4

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： C25B1/00 ,  C25F3/12 ,  C30B29/40 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： 本申请涉及用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用。本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。

公开(公告)号：CN105821435A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610206389.4

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： C25B1/00 ,  C25F3/12 ,  C30B29/40 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： 本申请涉及用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用。本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。

公开(公告)号：CN102782818A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180007613.2

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： H01L21/326

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： 本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。

公开(公告)号：CN102782818B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180007613.2

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： H01L21/326

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： 本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。