公开(公告)号：CN116779439A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310742541.0

申请日：2023-06-21

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 周久人 ,  金发鑫 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L21/326 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明公开了一种基于反铁电材料的高浓度电学掺杂方法，主要解决现有基于传统氧化物外加偏置电学掺杂技术受到介电响应局限的限制而难以实现高浓度掺杂以及功耗高等问题。其自下而上包括：半导体衬底、利用原子层淀积工艺生长的反铁电层、利用磁控溅射工艺生长的电极层。本发明利用反铁电材料的极化翻转特性实现了电学掺杂，提高了掺杂的精度和均匀性，有利于可重构器件的制备；利用反铁电材料具有较大极化值的特性降低了纳米尺寸器件中实现高浓度掺杂的难度，有利于低功耗器件的制备。

公开(公告)号：CN116031328A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211721669.0

申请日：2022-12-30

Applicant: 天合光能科技(盐城)有限公司

Inventor： 孟承启

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/326 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明涉及一种单晶PERC电池片及电注入方法、太阳能电池，该电注入方法包括如下步骤：使电池片依次进行第一电注入、第二电注入和第三电注入，第二电注入的注入电流比第一电注入的注入电流大，第一电注入的注入电流比第三电注入的注入电流大；第三电注入的注入时间分别比第一电注入的注入时间和第二电注入的注入时间长。本发明的电注入方法使第二电注入的注入电流比第一电注入的注入电流大，第一电注入的注入电流比第三电注入的注入电流大，同时控制电注入的时间等条件，所得电注入后的电池片的光电转化效率的提升幅度显著提高，抗光衰能力显著提高。

公开(公告)号：CN114613669A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210209640.8

申请日：2022-03-04

Applicant: 晶科能源股份有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

Inventor： 洪伦 ,  张昕宇 ,  金井升 ,  张彼克 ,  李恒 ,  程海燕 ,  尹家祥 ,  韩向超

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种修复电池的方法和装置，提供待修复电池；将所述待修复电池放置在电注入组件的上表面上，利用所述电注入组件对所述待修复电池输入第一电流；将光注入组件放置在所述电注入组件靠近所述上表面的一侧，利用所述光注入组件对所述待修复电池照射第一光线；将热注入组件放置在所述电注入组件远离所述上表面的一侧，利用所述热注入组件对所述待修复电池照施加第一加热温度；其中，所述第一光线的光强为2.838×1027CD‑9×2.838×1027CD，所述第一加热温度包括100℃～200℃。同时对待修复电池输入第一电流、照射第一光线以及施加第一加热温度，提升待修复电池的性能。

公开(公告)号：CN107037346B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201610848255.2

申请日：2016-09-23

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 冈田章 ,  竹迫宪浩 ,  秋山肇

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265 ,  G01R1/067 ,  G01R31/28 ,  H01L21/326 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明得到能够容易且高精度地对多个探针的前端部的面内位置及温度进行检查的半导体装置的评价装置及评价方法。卡盘台(1)将半导体装置(2)固定。多个探针(3)固定于绝缘基板(5)。温度调整部(4)对多个探针(3)的温度进行调整。评价及控制部(10)经由多个探针(3)而使电流流过半导体装置(2)，对半导体装置(2)的电气特性进行评价。热图像测量部(15)取得被多个探针(3)的前端部按压于表面后的检查板(14)的热图像。热图像处理部(19)对热图像进行图像处理，求出多个探针(3)的前端部的面内位置及温度。

公开(公告)号：CN111129212A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911263019.4

申请日：2019-12-11

Applicant: 广东爱旭科技有限公司

Inventor： 曾超 ,  杨苏平 ,  方结彬 ,  李娟 ,  林纲正 ,  陈刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/26 ,  H01L21/326

Abstract: 本发明公开了一种降低管式PERC太阳能电池光致衰减的方法，其包括：(1)提供丝印烧结的PERC太阳能电池片；(2)将所述PERC太阳能电池片进行光注入处理；(3)将经过光注入处理后的PERC太阳能电池片进行电注入处理。本发明采用先光注入后电注入的工艺，促进了B-O由失活态向再生态的转变，降低了太阳能电池片的光致衰减，提升了转换效率。同时将两者连用提升了生产效率。本发明还公开了上述降低管式PERC太阳能电池光致衰减的方法在生产PERC太阳能电池过程中的应用。

公开(公告)号：CN119403276A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411566905.5

申请日：2024-11-05

Applicant: 苏州炳日科技有限公司

Inventor： 张大雨 ,  张东 ,  郑会刚 ,  刘欢 ,  韩佳威

IPC: H10F71/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/326 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677 ,  B23K26/082

Abstract: 本发明涉及光伏电池片制造技术领域，具体公开了一种激光烧结模块、电池片激光烧结设备及方法。激光烧结模块包括加电辊轴组件和激光组件；加电辊轴组件包括沿上下方向相对设置的上辊轴和下辊轴，上辊轴和下辊轴均包括转轴、套设在转轴上的用于接触电池片的接触环，上辊轴上的接触环为第一接触环，下辊轴上的接触环为第二接触环；激光烧结模块还包括电源，所有第一接触环中的至少一个电性连接电源正负极中的一极，所有第二接触环中的至少一个电性连接电源正负极中的另一极。本发明能够一边输送电池片，一边给电池片施加电压，进而激光组件所发射的激光能够完成对电池片整片的扫描，整个过程只需用到一组激光组件，降低了设备的制造成本。

公开(公告)号：CN119069580A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411566611.2

申请日：2024-11-05

Applicant: 苏州炳日科技有限公司

Inventor： 张大雨 ,  张东 ,  郑会刚 ,  刘欢 ,  韩佳威

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326

Abstract: 本发明涉及光伏电池片制造技术领域，具体公开了一种电池片激光烧结方法和电池片激光烧结设备。其中，烧结方法包括如下步骤：给电池片施加电压并沿前后方向自后向前输送电池片；朝向电池片发射激光，激光发射时，在电池片的所在平面形成点状的光斑；移动激光以使光斑按预设的扫描路径进行多次循环扫描；扫描路径包括从第一侧的第一点移动至第二侧的第二点的第一路径、从第二点向后移动至第三点的第二路径、从第三点移动至第一侧的第三路径；第一路径自后向前倾斜延伸或与横向方向平行，第三路径自后向前倾斜延伸。本发明中，使点状的光斑按预设的扫描路径移动，激光所扫过的区域能够很好地覆盖电池片，且施加到电池片上的能量适中。

公开(公告)号：CN114072924A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202080029429.7

申请日：2020-02-18

Applicant: 雅科布工业有限公司

Inventor： 约翰·杰罗·帕切科·佩纳 ,  豪尔赫·路易斯·希门尼斯

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326

Abstract: 一种制造短路二极管的方法，所述短路二极管改变通过该短路二极管的电流的特性，使得电流在通过二极管之后不会伤害接触该电流的人。

公开(公告)号：CN1319135C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN01112158.0

申请日：2001-03-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·W·巴兰蒂 ,  J·J·埃利斯-莫纳汉 ,  古川俊治 ,  J·D·吉伯特 ,  G·R·米勒 ,  J·A·斯林克曼

IPC: H01L21/326 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2253 ,  C21D1/04 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326

Abstract: 在半导体器件中形成理想的接合剖面图的一种方法。将至少一种掺杂物引入半导体衬底。通过将半导体衬底和至少一种掺杂物退火来扩散至少一种掺杂物，同时使半导体衬底暴露于一个电场。

公开(公告)号：CN1645570A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410091565.1

申请日：2004-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世和 ,  陈俊彰 ,  陈科维 ,  张仕宗 ,  陈朝隆 ,  施博仁 ,  林俞谷 ,  王英郎

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/326 ,  B01F17/42

CPC classification number: H01L21/76843 ,  B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  C25F3/02 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法，其是揭露一种用以移除晶片表面可能污染元件的颗粒的电抛光法。此方法是包括将晶片浸润于一电抛光用的电解液中，并通过晶片与电解液间所产生的旋转摩擦力以及电解作用而将晶片表面的缺陷以及颗粒移除。此方法是有效于移除所有大小尺寸的孔洞开口处的颗粒，且包含具有宽度小于0.2μm的通孔开口。