发明公开
- 专利标题： 单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途
- 专利标题（英）： Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses thereof
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申请号： CN201080060438.9申请日： 2010-11-03
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公开(公告)号： CN102791910A公开(公告)日： 2012-11-21
- 发明人: P·韦贝尔 , V·贝拉斯克斯 , J-P·沙米纳德 , O·维拉潘蓬
- 申请人： 国立科学研究中心
- 申请人地址： 法国巴黎
- 专利权人： 国立科学研究中心
- 当前专利权人： 国立科学研究中心
- 当前专利权人地址： 法国巴黎
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 祁丽; 于辉
- 优先权： 0957772 2009.11.03 FR
- 国际申请： PCT/FR2010/052355 2010.11.03
- 国际公布： WO2011/055075 FR 2011.05.12
- 进入国家日期： 2012-07-03
- 主分类号： C30B9/00
- IPC分类号： C30B9/00 ; C30B17/00 ; C30B19/02 ; C30B19/04 ; C30B19/06 ; C30B29/22 ; C30B29/24 ; C30B29/04
摘要：
本发明涉及采用高温助熔剂生长技术制备块状或薄膜的掺杂有正三价镧系元素离子的钪、钇或者稀土金属的立方倍半氧化物单晶（空间群No.206,Ia-3）的方法，以及根据该方法获得的所述单晶的各种应用，特别是在光学领域中的应用。
公开/授权文献
- CN102791910B 单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途 公开/授权日：2015-07-01
IPC分类:
