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公开(公告)号：CN118147735A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311654660.7
申请日：2023-12-04
申请人： 克莱托斯波尔公司 , 费兹卡尼厄斯达AV CR公司
摘要： 本发明涉及一种由专业公众已知的用于闪烁晶体探测器的一般组成成分为CexGdyY1‑x‑yAlO3的材料生产晶体的方法，其尚未通过直拉法进行工业化生产。本发明的方法使得生产直径大于毫米单位的晶体成为可能。具体地，本发明在最初的直拉法中添加了对输入原材料进行退火以及还原性氢‑氩气氛通过晶体生长炉的受控流的步骤。此外，本发明还涉及一种用于闪烁晶体探测器的具有CexGdyY1‑x‑yAlO3一般组成成分的晶体。
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公开(公告)号：CN117966271A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410136707.9
申请日：2024-01-31
摘要： 本发明涉及一种钬掺杂自脉冲晶体及其生长方法与激光器，所述钬掺杂自脉冲晶体的分子通式为HoxPryA1‑x‑yC，其中，A1‑x‑yC为基质材料；x的取值范围为0.001‑0.05，y的取值范围为0‑0.02。激光器包括泵浦系统、耦合系统、输入镜、钬掺杂自脉冲晶体以及输出镜，该装置可实现输出波长为2.7～3.2μm的自脉冲激光。与现有技术相比，本发明提供的激光器具有结构紧凑、成本低的优点，可降低腔内损耗，实现高功率、大能量、窄线宽的脉冲激光输出，在气体探测、激光雷达、激光加工和光电对抗等领域具有极其重要的应用。
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公开(公告)号：CN114635179B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210208336.1
申请日：2022-03-04
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明涉及光功能晶体材料技术领域，具体涉及一种2.6‑3.4μm宽谱带发射的中红外Er,Dy:YAP激光晶体及其制备方法和应用。该激光晶体的化学分子式为EraDybY(1‑a‑b)AlO3，其中，Er3+3+ 3+和Dy 均是取代十二面体中心位置的Y ，通过Er3+和Dy3+两种离子的共掺实现2.6‑3.4μm宽谱带发射，并采用具有较低声子能量及优良热力学性能的YAP晶体作为基质材料，可通过调Q、锁模及可调谐激光技术实现短脉冲及可调谐激光输出，以满足该波段激光在生物医疗、非线性光学、大气监测及材料加工等领域的重要应用。
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公开(公告)号：CN110172734B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1‑xSrxFe1‑xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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公开(公告)号：CN108265330B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810057892.7
申请日：2018-01-22
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种铋钾双掺铝酸钇新型近红外激光晶体及其制备方法，属于近红外激光增益材料领域，其中，铋钾双掺的铝酸钇晶体中同时掺入铋离子和钾离子，其中铋离子的掺入量为0.1～15at.％，钾离子的参入量为0.1～15at.％。本发明铋钾双掺晶体，铋离子作为激活离子，而钾离子作为优化离子，可以提供局部电荷的补偿作用，铋钾双掺时易变价的Bi3+将获得相对于单掺Bi3+时获得更多的电子，形成更多低价态的铋离子，同时提高铋离子的分凝系数，从而有效提高铋离子近红外发光效率。实现增强荧光输出，降低激光阈值和提高激光效率。该激光晶体在军事、医疗、科研及通信等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109713560A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910110596.3
申请日：2019-02-12
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种面向3.0~5.0微米全固体激光器的中红外铁铒双掺激光晶体，涉及中红外激光增益材料领域，该激光晶体中，二价铁离子作为激活离子，发光范围位于3.0~5.0微米中红外波段，三价铒离子作为二价铁离子的敏化离子，使得晶体适合于商业化、大功率发光二极管泵浦。另一方面，二价铁离子属于过渡金属离子，吸收和发射带宽较宽，同时吸收和发射截面大，可获得超短超快激光输出。该激光晶体可以用于3.0~5.0微米的激光输出，在医疗、科研及军事等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN104947192B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201510272038.9
申请日：2015-05-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
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公开(公告)号：CN108411359A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810163894.4
申请日：2018-02-27
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种金属管内生长晶体包层的方法，包括以下步骤：将晶体光纤插入金属套管里，套管的芯径大于光纤的直径0.1-0.8mm，套管下端是直径和晶体光纤直径相同的金属丝；安装到晶体生长提拉炉籽晶杆上，加热提拉炉坩埚内的原料至熔化，下降籽晶杆，使金属套管下端金属丝部分浸入熔体中，金属丝上端露出液面部分长度2-3mm，熔体即在毛细作用下沿金属套管和晶体光纤及金属丝之间的间隙爬升；继续升高坩埚内熔体的温度，使熔体充满金属套管和晶体光纤的间隙；以5-10mm/h的拉速将金属套管拉出坩埚内的熔体，降到室温，得到带有晶体包层的晶体光纤。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
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公开(公告)号：CN103498189B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201310432479.1
申请日：2013-09-22
申请人： 北京工业大学
摘要： 一维单晶LaFeO3纳米棒及制备，属于LaFeO3纳米晶技术领域。采用水热合成法制备Fe2O3纳米棒，然后将六水合硝酸镧溶于去离子水，在搅拌条件下，加入Fe2O3纳米棒做模板，在搅拌条件下逐滴加入10%的KOH溶液至溶液pH值为10左右，然后超声10～15min,转移至具有聚四氟乙烯内衬的自压釜中，体积填充度为80%，于180℃恒温处理12h，经抽滤，去离子水洗涤三次，无水乙醇洗涤三次和在80℃干燥12h后，再在马弗炉中于空气气氛下以1℃/min的速率从室温升至650℃或750℃并在该温度下保持4h，得到一维单晶LaFeO3纳米棒。本发明具有原料廉价易得，制备过程简单，产物形貌可控。
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公开(公告)号：CN106012016A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610361017.9
申请日：2016-05-29
申请人： 景德镇陶瓷大学
摘要： 本发明公开了一种电可调上转换发光无铅铁电单晶体材料，所述上转换发光铁电单晶体材料化学通式为(Na0.5Bi0.5‑xErx)TiO3，通式中，x为掺杂Er的摩尔比，x的取值范围为0
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