制造半导体器件的方法

发明公开

请登陆查看更多内容

专利标题： 制造半导体器件的方法
专利标题（英）： Method of manufacturing a semiconductor device
申请号： CN201210177527.2

申请日： 2012-05-31
公开(公告)号： CN102810490A

公开(公告)日： 2012-12-05
发明人: 邢智蛘 , 乌尔里希·克鲁姆贝因 , 斯特凡·马滕斯 , 施明计 , 维尔纳·西姆比埃格 , 霍斯特·托伊斯 , 赫尔穆特·维奇尔克
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格
专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格
代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
代理商 余刚; 吴孟秋
优先权： 13/152,021 2011.06.02 US
主分类号： H01L21/603
IPC分类号： H01L21/603 ; H01L21/78

摘要：

本发明涉及制造半导体器件的方法，其一个实施方式包括：在载体上配置晶片，该晶片包括单独的芯片；将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。

摘要（英）：

In one embodiment a method for manufacturing a semiconductor device comprises arranging a wafer on a carrier, the wafer comprising singulated chips; bonding the singulated chips to a support wafer, and removing the carrier.

公开/授权文献

CN102810490B 制造半导体器件的方法公开/授权日：2015-09-09

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60	....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603	.....包括运用压力的，例如热压黏结（H01L21/607优先）